考题
计算题：用QS1电桥测量110KV套管介损tg时，试验电压为10KV，标准电容CN为50pF；电桥平衡时，R3=345Ω，试计算CX之值。（R4为定值3184Ω）
考题
采用QS1交流电桥在现场测量设备的tgδ时，若试品的电容量较小，测量中出现负值，一定是存在着电场干扰。
考题
在相同条件下，用QS1型西林电桥测量小电容试品中的tg∮和C时，用正接线方式和反接线方式测量的结果是完全相同的。
考题
测量tgδ常用QS1电桥是按（）刻度的。A、R4=10000/πΩ tgδ（%）=C4B、R4=1000/πΩ tgδ（%）=C4C、R4=100/πΩ tgδ（%）=C4
考题
使用QS1电桥测量tgδ时，接通或断开电源时，检流计灵敏度应在（）。
考题
在QS1型西林电桥测量操作中，若分流器档位设置电流值较大于试品实际电流值，则电桥的调节值需趋向最高值，电桥R3才能趋向平衡。
考题
现场用QS1型西林电桥测量设备绝缘的tg∮，当出现较大电场干扰时，则在任意调换试验用电源的相别和极性的情况下，所测得的tg∮值均比真实的tg∮值大。
考题
采用QS1电桥测量串级式电压互感器支架介损tgδ值时，可选择的接线方法是（）。A、自激法B、末端加压法C、末端屏蔽法
考题
使用QS1交流电桥测量试品的电容量约为15000pF，加压10kV，电桥分流器的位置选择哪一档为宜（）。A、0.01B、0.025C、0.06D、0.15
考题
用QS1型西林电桥测量介损时，怎样选择分流器位置？若被试品电容量约为4000pF（U＝10kV）分流器应在何位置？
考题
用QS1电桥测量110kV套管介损tgδ值时，试验电压为10kV，标准电容CN为50pF；电桥平衡时，R3=345Ω，试计算Cx之值。（R4为定值3184Ω）
考题
用QS1型西林电桥测tgδ时的操作要点具体有哪些？
考题
使用QS1交流电桥测量试品的电容量约为1500PF、加压10kV，电桥分流器的位置选择（）档为宜。A、0.01B、0.025C、0.06D、0.15
考题
用QS1型西林电桥测tgδ，消除电场干扰的方法有哪些？
考题
变压器采用QS1型交流电桥反接线测量线圈绕组tgδ时，对于三线圈变压器试写出被试线圈及相应的接地部位。
考题
采用QS1电桥测量串级式电流互感器支架介损tgδ值时，可选择接线方法是（）。A、自激法B、它激法C、未端加压法D、未端屏蔽法
考题
用QS1交流电桥测量介损tgδ出现负值的主要原因是磁场干扰。
考题
用QS1电桥测量变压器套管连同绕组一起的介损tgδ，应采用何种接线？如何接线？
考题
用QS1型西林电桥测tgδ时的操作要点有哪些？
考题
使用QS1型交流电桥测量tanØ时，应尽量选择与历次试验相近温度条件下进行绝缘tanØ试验。
考题
问答题用QS1电桥测量110千伏套管介损tgδ值时，试验电压为10千伏，标准电容CN为50皮法，电桥平衡时，R3为345欧，计算Cx之值（R4为定值3184欧）。
考题
判断题用QS1交流电桥测量介损tgδ出现负值的主要原因是磁场干扰。A
对B
错
考题
判断题现场用QS1型西林电桥测量设备绝缘的tg∮，当出现较大电场干扰时，则在任意调换试验用电源的相别和极性的情况下，所测得的tg∮值均比真实的tg∮值大。A
对B
错
考题
判断题在QS1型西林电桥测量操作中，若分流器档位设置电流值较大于试品实际电流值，则电桥的调节值需趋向最高值，电桥R3才能趋向平衡。A
对B
错
考题
问答题一台变压器，用QS1交流电桥测量高压绕组对其他绕组及地的介质损耗tgδ和Cx时，已知试验电压为10KV，标准电容CN为50皮法，分流器在0.06档，电桥平衡时，R3为64欧，e为0.4欧，tgδ为0.8%，试计算Cx之值（R4为3184欧）。
考题
单选题试品电容量约15000pF，使用QS1型西林电桥，施加10kV测量其tgδ时，电桥分流器位置宜选定在（）档位置A
0.01B
0.025C
0.06D
0.15
考题
判断题在相同条件下，用QS1型西林电桥测量小电容试品中的tg∮和C时，用正接线方式和反接线方式测量的结果是完全相同的。A
对B
错
