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计算题:用QS1电桥测量110KV套管介损tg&时,试验电压为10KV,标准电容CN为50pF;电桥平衡时,R3=345Ω,试计算CX之值。(R4为定值3184Ω)


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考题 QS1型交流电桥测量时,标准电容CN和试验变压器QS1电桥距离应不小于()。A、0.2mB、0.5mC、1mD、1.5m

考题 使用QS1型交流电桥测量tanØ时,造成-tanØ值出现的原因有()A、温度影响B、强电场干扰C、测量中接线错误D、测量有抽取电压装置的电容式套管时,套管表面脏污

考题 QS1电桥包括升压试验设备QS1电桥桥体及()。A、标准电容器B、标准电感C、标准电阻

考题 交流耐压试验一般有以下()几种方法。A、工频耐压试验B、QS1电桥试验C、感应耐压试验D、冲击电压试验

考题 为什么用QS1型西林电桥测量小电容试品介质损耗因数时,采用正接线好?

考题 采用QS1电桥测量串级式电压互感器支架介损tgδ值时,可选择的接线方法是()。A、自激法B、末端加压法C、末端屏蔽法

考题 在现场测量介损tgσ时,如果试验电源的电压波形不好,含有较大的()分量,则电桥很难()。

考题 变压器低电压试验验收进行介质损耗因数、电容量测量时,测量每一绕组连同套管对地及其余绕组间的介损、电容值,并将测试温度下的介损值换算到()℃。A、10B、15C、20D、25

考题 用QS1型交流电桥测量110kV级以上电流互感器介损tgδ时,当具备电压等级足够的标准电容器时,按正接法测量,试验电压最高可加到()。A、10kVB、1.1倍相电压C、2.2倍相电压D、线电压

考题 测量绝缘介损的仪器按原理可以分为()。A、西林电桥B、电流比较型电桥C、M型电桥D、直流电流电压法电桥

考题 用QS1型西林电桥测量介损时,怎样选择分流器位置?若被试品电容量约为4000pF(U=10kV)分流器应在何位置?

考题 用QS1电桥测量110kV套管介损tgδ值时,试验电压为10kV,标准电容CN为50pF;电桥平衡时,R3=345Ω,试计算Cx之值。(R4为定值3184Ω)

考题 测量CVT分接电容C2的介损和电容量时,C2的“δ”点接介损电桥的高压端,主电容C1高压端接介损电桥的“Cx”端,用正接线法测试。由于“δ”点绝缘水平有限,为保护“δ”,试验电压不超过()。A、10000VB、5000VC、2500VD、1000V

考题 在现场测量介损tgδ时,如果试验电源的电压波形不好,含有较大的()分量,则电桥很难()。在与电气化铁路距离较近的变电站测量介损tgδ时上述情况尤为严重。

考题 测量tgδ时,为何要选择QS1电桥的分流位置?

考题 用自激法测量110kV电容式电压互感器介损及电容量,操作不正确的是()。A、拆除高压引线B、将中间变压器高压绕组接地端断开C、电桥输出电压10000VD、电桥输出电压不能过高

考题 采用QS1电桥测量串级式电流互感器支架介损tgδ值时,可选择接线方法是()。A、自激法B、它激法C、未端加压法D、未端屏蔽法

考题 用QS1交流电桥测量介损tgδ出现负值的主要原因是磁场干扰。

考题 用反接线方式,测量一台110kV电流互感器主绝缘介损tgδ,如介损仪本体接地不良,与其介损测量结果无关。

考题 用QS1电桥测量变压器套管连同绕组一起的介损tgδ,应采用何种接线?如何接线?

考题 用正接接线方式,测量一台110kV耦合电容器主绝缘介损tgδ,如介损仪的Cx与其耦合电容的末屏(接地小套管)接触不良,影响介损测量结果准确性。

考题 用QS1型交流电桥测量110kV及以上电流互感器介损tgδ值时,当具备电压等级足够高的标准电容器时,按正接法测量,试验电压最高可加到()。A、10KvB、1.1倍相电压C、线电压

考题 使用QS1型交流电桥测量tanØ时,应尽量选择与历次试验相近温度条件下进行绝缘tanØ试验。

考题 问答题用QS1电桥测量110千伏套管介损tgδ值时,试验电压为10千伏,标准电容CN为50皮法,电桥平衡时,R3为345欧,计算Cx之值(R4为定值3184欧)。

考题 判断题用QS1交流电桥测量介损tgδ出现负值的主要原因是磁场干扰。A 对B 错

考题 填空题在现场测量介损tgσ时,如果试验电源的电压波形不好,含有较大的()分量,则电桥很难()。

考题 问答题一台变压器,用QS1交流电桥测量高压绕组对其他绕组及地的介质损耗tgδ和Cx时,已知试验电压为10KV,标准电容CN为50皮法,分流器在0.06档,电桥平衡时,R3为64欧,e为0.4欧,tgδ为0.8%,试计算Cx之值(R4为3184欧)。