考题
在QSl西林电桥的测量操作中，若分流器挡位设置电流值大于试品实际电流值，则电桥R3的调节值需趋向最高限制，电桥才能趋向平衡。( )
考题
QS1电桥内有一套低压电源和低压标准电容器，可测量电容量为300PF~100μF的试品。A对B错
考题
计算题：用QS1电桥测量110KV套管介损tg时，试验电压为10KV，标准电容CN为50pF；电桥平衡时，R3=345Ω，试计算CX之值。（R4为定值3184Ω）
考题
在现场测量小电容量试品的介损tgδ值时，使测量结果引入诸多误差的外界因素主要指哪些？
考题
采用QS1交流电桥在现场测量设备的tgδ时，若试品的电容量较小，测量中出现负值，一定是存在着电场干扰。
考题
在相同条件下，用QS1型西林电桥测量小电容试品中的tg∮和C时，用正接线方式和反接线方式测量的结果是完全相同的。
考题
QS1电桥内有一套低压电源和低压标准电容器，可测量电容量为300PF~100μF的试品。
考题
适用QSI型西林电桥测量试品tg∮，接通或断开电源时，检流计灵敏度应在中间位置。
考题
在QS1型西林电桥测量操作中，若分流器档位设置电流值较大于试品实际电流值，则电桥的调节值需趋向最高值，电桥R3才能趋向平衡。
考题
为什么用QS1型西林电桥测量小电容试品介质损耗因数时，采用正接线好？
考题
当被试品电容量很小，测量其介损tgδ时，介损仪的高压引线与被试品的杂散电容对测量的影响不可忽视。
考题
测量绝缘介损的仪器按原理可以分为（）。A、西林电桥B、电流比较型电桥C、M型电桥D、直流电流电压法电桥
考题
使用QS1交流电桥测量试品的电容量约为15000pF，加压10kV，电桥分流器的位置选择哪一档为宜（）。A、0.01B、0.025C、0.06D、0.15
考题
测量介损tgδ和测量绝缘电阻一样，试品的表面泄漏对测量结果有一定影响，并且（）。A、试品电容量较大，影响较小B、试品电容量较大，影响较大C、与试品电容量无关
考题
用QS1电桥测量110kV套管介损tgδ值时，试验电压为10kV，标准电容CN为50pF；电桥平衡时，R3=345Ω，试计算Cx之值。（R4为定值3184Ω）
考题
使用QS1交流电桥测量试品的电容量约为1500PF、加压10kV，电桥分流器的位置选择（）档为宜。A、0.01B、0.025C、0.06D、0.15
考题
测量tgδ时，为何要选择QS1电桥的分流位置？
考题
在QSI型西林电桥测量操作中，若分流器档位设置电流值较大于试品实际电流值，则电桥R3的调节值需趋向最高限值，电桥才能趋抽平衡。
考题
用QS1交流电桥测量介损tgδ出现负值的主要原因是磁场干扰。
考题
用QS1电桥测量变压器套管连同绕组一起的介损tgδ，应采用何种接线？如何接线？
考题
使用QS1电桥时，根据试品电容量估算R3的值，若R3偏大很多时，电桥才趋于平衡，试问故障原因和如何检查？
考题
用QS1型西林电桥测tgδ时的操作要点有哪些？
考题
判断题用QS1交流电桥测量介损tgδ出现负值的主要原因是磁场干扰。A
对B
错
考题
单选题试品电容量约为15000pF，当用10kVQS1型西林电桥测量其tgδ及C时，电桥分流器档位宜设置在（）档A
0.01B
0.025C
0.06D
0.15
考题
判断题在QS1型西林电桥测量操作中，若分流器档位设置电流值较大于试品实际电流值，则电桥的调节值需趋向最高值，电桥R3才能趋向平衡。A
对B
错
考题
单选题试品电容量约15000pF，使用QS1型西林电桥，施加10kV测量其tgδ时，电桥分流器位置宜选定在（）档位置A
0.01B
0.025C
0.06D
0.15
考题
判断题在相同条件下，用QS1型西林电桥测量小电容试品中的tg∮和C时，用正接线方式和反接线方式测量的结果是完全相同的。A
对B
错
