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测量tgδ常用QS1电桥是按()刻度的。

  • A、R4=10000/πΩ tgδ(%)=C4
  • B、R4=1000/πΩ tgδ(%)=C4
  • C、R4=100/πΩ tgδ(%)=C4

参考答案

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考题 194、测量大变压器的直流电阻,因阻值较小,应该使用()。(A)西林电桥(QS1电桥);(B)惠斯顿电桥测量;(C)凯尔文电桥测量。

考题 测量大变压器的直流电阻,因阻值较小,应该使用()A西林电桥(QS1电桥)B惠斯顿电桥测量C凯尔文电桥测量

考题 计算题:用QS1电桥测量110KV套管介损tg时,试验电压为10KV,标准电容CN为50pF;电桥平衡时,R3=345Ω,试计算CX之值。(R4为定值3184Ω)

考题 采用QS1交流电桥在现场测量设备的tgδ时,若试品的电容量较小,测量中出现负值,一定是存在着电场干扰。

考题 QS1型交流电桥测量时,标准电容CN和试验变压器QS1电桥距离应不小于()。A、0.2mB、0.5mC、1mD、1.5m

考题 在相同条件下,用QS1型西林电桥测量小电容试品中的tg∮和C时,用正接线方式和反接线方式测量的结果是完全相同的。

考题 使用QS1电桥测量tgδ时,接通或断开电源时,检流计灵敏度应在()。

考题 采用QS1电桥测量tanδ,正接线比反接线准确度低。

考题 采用QS1电桥测量tanδ的接线方式一般有差接线及和接线。

考题 现场用QS1型西林电桥测量设备绝缘的tg∮,当出现较大电场干扰时,则在任意调换试验用电源的相别和极性的情况下,所测得的tg∮值均比真实的tg∮值大。

考题 采用QS1电桥测量串级式电压互感器支架介损tgδ值时,可选择的接线方法是()。A、自激法B、末端加压法C、末端屏蔽法

考题 测量高压设备绝缘介质损失角正切值tg,一般使用的试验设备是()。A、QS1型西林电桥B、欧母表C、电压表D、兆欧表

考题 用QS1型交流电桥测量110kV级以上电流互感器介损tgδ时,当具备电压等级足够的标准电容器时,按正接法测量,试验电压最高可加到()。A、10kVB、1.1倍相电压C、2.2倍相电压D、线电压

考题 用QS1电桥测量110kV套管介损tgδ值时,试验电压为10kV,标准电容CN为50pF;电桥平衡时,R3=345Ω,试计算Cx之值。(R4为定值3184Ω)

考题 用QS1型西林电桥测tgδ时的操作要点具体有哪些?

考题 测量tgδ时,为何要选择QS1电桥的分流位置?

考题 变压器采用QS1型交流电桥反接线测量线圈绕组tgδ时,对于三线圈变压器试写出被试线圈及相应的接地部位。

考题 采用QS1电桥测量串级式电流互感器支架介损tgδ值时,可选择接线方法是()。A、自激法B、它激法C、未端加压法D、未端屏蔽法

考题 用QS1交流电桥测量介损tgδ出现负值的主要原因是磁场干扰。

考题 用QS1电桥测量变压器套管连同绕组一起的介损tgδ,应采用何种接线?如何接线?

考题 用QS1型西林电桥测tgδ时的操作要点有哪些?

考题 用QS1型交流电桥测量110kV及以上电流互感器介损tgδ值时,当具备电压等级足够高的标准电容器时,按正接法测量,试验电压最高可加到()。A、10KvB、1.1倍相电压C、线电压

考题 问答题用QS1电桥测量110千伏套管介损tgδ值时,试验电压为10千伏,标准电容CN为50皮法,电桥平衡时,R3为345欧,计算Cx之值(R4为定值3184欧)。

考题 判断题用QS1交流电桥测量介损tgδ出现负值的主要原因是磁场干扰。A 对B 错

考题 判断题现场用QS1型西林电桥测量设备绝缘的tg∮,当出现较大电场干扰时,则在任意调换试验用电源的相别和极性的情况下,所测得的tg∮值均比真实的tg∮值大。A 对B 错

考题 单选题试品电容量约15000pF,使用QS1型西林电桥,施加10kV测量其tgδ时,电桥分流器位置宜选定在()档位置A 0.01B 0.025C 0.06D 0.15

考题 判断题在相同条件下,用QS1型西林电桥测量小电容试品中的tg∮和C时,用正接线方式和反接线方式测量的结果是完全相同的。A 对B 错