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判断题
用QS1交流电桥测量介损tgδ出现负值的主要原因是磁场干扰。
A

对

B

错

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考题 用QSl型西林电桥进行实际测量时，消除磁场干扰的办法有：将电桥移到磁场干扰以外;在检流计极性转换开关处于两种不同位置时，调节电桥平衡，求得每次平衡时的试品tgδ值和电容值，然后再求取两次的平均值，以消除磁场干扰的影响。( )
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考题 计算题：用QS1电桥测量110KV套管介损tg时，试验电压为10KV，标准电容CN为50pF；电桥平衡时，R3=345Ω，试计算CX之值。（R4为定值3184Ω）
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考题 采用QS1交流电桥在现场测量设备的tgδ时，若试品的电容量较小，测量中出现负值，一定是存在着电场干扰。
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考题 使用QS1电桥测量tgδ时，接通或断开电源时，检流计灵敏度应在（）。
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考题 介损出现负值是因为（）。A、试验现场的电磁场干扰B、被试品是容性的C、被试品是感性的
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考题 现场用QS1型西林电桥测量设备绝缘的tg∮，当出现较大电场干扰时，则在任意调换试验用电源的相别和极性的情况下，所测得的tg∮值均比真实的tg∮值大。
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考题 采用QS1电桥测量串级式电压互感器支架介损tgδ值时，可选择的接线方法是（）。A、自激法B、末端加压法C、末端屏蔽法
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考题 用西林电桥测量tgδ时，若有磁场干扰，试述其消除方法？
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考题 在现场测量介损tgσ时，如果试验电源的电压波形不好，含有较大的（）分量，则电桥很难（）。
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考题 QS1型交流电桥测量时，影响tanØ测量值因素主要有（）A、电场干扰B、温度影响C、被试设备局部绝缘缺陷的影响D、测量电压的影响
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考题 用QS1型交流电桥测量110kV级以上电流互感器介损tgδ时，当具备电压等级足够的标准电容器时，按正接法测量，试验电压最高可加到（）。A、10kVB、1.1倍相电压C、2.2倍相电压D、线电压
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考题 用QS1型西林电桥测量介损时，怎样选择分流器位置？若被试品电容量约为4000pF（U＝10kV）分流器应在何位置？
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考题 测量绝缘介质出现负值的主要原因是（）A、标准电容有介损且大于被试品的介损B、电场干扰C、空间干扰D、湿度影响
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考题 用QS1电桥测量110kV套管介损tgδ值时，试验电压为10kV，标准电容CN为50pF；电桥平衡时，R3=345Ω，试计算Cx之值。（R4为定值3184Ω）
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考题 用QS1型西林电桥测tgδ时的操作要点具体有哪些？
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考题 在现场测量介损tgδ时，如果试验电源的电压波形不好，含有较大的（）分量，则电桥很难（）。在与电气化铁路距离较近的变电站测量介损tgδ时上述情况尤为严重。
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考题 用QS1型西林电桥测tgδ，消除电场干扰的方法有哪些？
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考题 测量tgδ时，为何要选择QS1电桥的分流位置？
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考题 采用QS1电桥测量串级式电流互感器支架介损tgδ值时，可选择接线方法是（）。A、自激法B、它激法C、未端加压法D、未端屏蔽法
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考题 用QS1交流电桥测量介损tgδ出现负值的主要原因是磁场干扰。
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考题 在现场采用介损仪测量设备的介损tgδ时，若存在电场干扰，则在任意测试电源极性的情况下，所测得tgδ值一定比真实的tgδ增大。
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考题 用QS1电桥测量变压器套管连同绕组一起的介损tgδ，应采用何种接线？如何接线？
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考题 用QS1型西林电桥测tgδ时的操作要点有哪些？
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考题 用QS1型交流电桥测量110kV及以上电流互感器介损tgδ值时，当具备电压等级足够高的标准电容器时，按正接法测量，试验电压最高可加到（）。A、10KvB、1.1倍相电压C、线电压
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考题 问答题用QS1电桥测量110千伏套管介损tgδ值时，试验电压为10千伏，标准电容CN为50皮法，电桥平衡时，R3为345欧，计算Cx之值（R4为定值3184欧）。
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考题 判断题用QS1交流电桥测量介损tgδ出现负值的主要原因是磁场干扰。A 对B 错
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考题 判断题现场用QS1型西林电桥测量设备绝缘的tg∮，当出现较大电场干扰时，则在任意调换试验用电源的相别和极性的情况下，所测得的tg∮值均比真实的tg∮值大。A 对B 错
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考题 填空题在现场测量介损tgσ时，如果试验电源的电压波形不好，含有较大的（）分量，则电桥很难（）。
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