考题
半导体主要特性（）A、光敏B、热敏C、掺杂D、电阻
考题
半导体中的离子注入掺杂是把掺杂剂（）加速到的需要的（），直接注入到半导体晶片中，并经适当温度的（）。
考题
本征半导体中掺入少量三价元素，构成的是P型掺杂半导体，其中多数的载流子是（）型；若在本征半导体中掺入少量的（）元素，构成的是（）型半导体，其中多数载流子是（）。
考题
以下掺杂半导体中属于n型的是（）A、In掺杂的GeB、As掺杂的GeC、InSb中，Si占据Sb的位置D、GaN中，Mg占据Ga的位置
考题
什么叫掺杂半导体？什么叫N型半导体？什么叫P型半导体？
考题
根据扩散原理，将三价（硼）或五价（磷）杂质原子掺入到硅半导体材料中（）A、 温度越高，掺杂越快B、 温度越低，掺杂越快C、 温度恒定，掺杂最快D、 掺杂快慢与温度无关
考题
试分析、阐述导体、半导体（本征、掺杂）和绝缘体的能带结构特点。
考题
本征半导体（纯半导体）的Eg小于掺杂质半导体
考题
半导体的压阻效应与掺杂度、温度、材料类型和半导体的晶向有关。
考题
下列掺杂半导体属于n型半导体的是（）A、In掺杂的GeB、As掺入GeC、As掺入SiD、InSb中，Si占据Sb的位置E、GaN中，Mg占据Ga的位置
考题
N型半导体中的自由电子是（）形成的。A、掺杂B、能量击发C、掺杂与能量击发
考题
杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（）。A、温度B、掺杂工艺C、掺杂浓度D、晶格缺陷
考题
在杂质半导体中，少数载流子的浓度取决于（）A、温度B、掺杂元素C、掺杂浓度D、掺杂工艺
考题
在半导体中掺入微量的有用杂质，制成掺杂半导体。掺杂半导体有（）。A、W型B、N型有P型C、U型
考题
在半导体中掺人微量的有用杂质，制成掺杂半导体。掺杂半导体有（）。A、W型B、N型有P型C、U型D、V型
考题
判断题硼是VA族元素，其掺杂形成的半导体是P型半导体。A
对B
错
考题
单选题杂质半导体中少数载流子浓度（）A
与掺杂浓度和温度无关B
只与掺杂浓度有关C
只与温度有关D
与掺杂浓度和温度有关
考题
问答题半导体工艺技术的主要掺杂工艺包括哪两种？
考题
判断题半导体的压阻效应与掺杂度、温度、材料类型和半导体的晶向有关。A
对B
错
考题
问答题简述半导体中浅能级和深能级掺杂对半导体的导电有何影响？
考题
单选题根据扩散原理，将三价（硼）或五价（磷）杂质原子掺入到硅半导体材料中（）A
温度越高，掺杂越快B
温度越低，掺杂越快C
温度恒定，掺杂最快D
掺杂快慢与温度无关
考题
判断题PIN管是在P型和N型半导体之间夹着一层（相对）很厚的掺杂半导体。A
对B
错
