考题
半导体导电能力介于导体和绝缘体之间，具有()。A.光敏性B.热敏性C.冷敏性D.掺杂性
考题
在低能量价带上聚集着许多电子,而高能量的导带上几乎没有电子,费米能级位于带隙中间。这种半导体称为()。
A、本征半导体B、P型半导体C、N型半导体D、PN结
考题
当纳米粒子尺寸下降到某一值时，金属费米能级附近的电子能级由准连续变为离散能级的现象以及纳米半导体粒子能隙的调制现象，均被称为（）。
考题
本征半导体在温度T=OK和无光照时，导电能力与（）很接近.A、金属B、小电阻C、绝缘体D、掺杂半导体
考题
杂质半导体的导电性能是通过掺杂而大大提高的。
考题
简述费米能级的意义及半导体与费米能级的关系。
考题
对于同时存在一种施主杂质和一种受主杂质的均匀掺杂的非简并半导体，在温度足够高、ni/ND-NA/时，半导体具有（）半导体的导电特性。A、非本征B、本征
考题
n型半导体是在Si、Ge等四价元素中掺入少量（），p型半导体是在在四价元素Si、Ge等中掺入少量（）在价带附近形成掺杂的能级。
考题
一般情况下，P型半导体的费米能级（）N型半导体的能级。A、高于B、小于C、等于D、无法确定
考题
光照对半导体的导电性能的影响（）。A、很小；B、很大；C、不大；D、无。
考题
对半导体的叙述正确的是（）。A、半导体即超导体B、半导体即一半导电一半不导电C、半导体是导电能力介于导体和绝缘体之间的物质D、半导体是经过处理的绝缘体
考题
在半导体中掺入微量的有用杂质，制成掺杂半导体。掺杂半导体有（）。A、W型B、N型有P型C、U型
考题
p型半导体中杂质原子所形成的局部能级（也称受主能级），在能带结构中应处于（）。A、满带中B、导带中C、禁带中，但接近满带顶D、禁带中，但接近导带底
考题
在半导体中掺人微量的有用杂质，制成掺杂半导体。掺杂半导体有（）。A、W型B、N型有P型C、U型D、V型
考题
填空题P型半导体是向本征半导体中参入低价元素形成的。P型半导体中的导电粒子为（）。本征半导体的费米能级位于导带与禁带的中间。费米能级的位置随电子浓度的增加而（）。
考题
填空题半导体的中，（）称为费米能级；对本征半导体，费米能级位于（），表示（）。费米能级靠近导带，表示（），是（）型半导体；费米能级靠近价带，表示（），是（）型半导体。
考题
填空题由施主能级激发到导带中去的电子来导电的半导体，称为（）。
考题
单选题半导体中施主能级的位置位于（）中。A
禁带B
价带C
导带D
满带
考题
问答题试按能级生成理论解释半导体气敏陶瓷的导电机理。
考题
单选题对于N型半导体来说，以下说法正确的是（）A
费米能级靠近导带底B
空穴为多子C
电子为少子D
费米能级靠近靠近于价带顶
考题
单选题半导体中施主能级的位置位于（）。A
禁带B
满带C
导带D
价带
考题
单选题N型半导体的费米能级处于禁带（）。A
中间B
上部C
下部D
不确定.
考题
单选题半导体中受主能级的位置位于（）中。A
禁带B
价带C
导带D
满带
考题
问答题以在Ge半导体掺入As为例，简述为什么类氢杂质能级的施主能级位于导带附近？
考题
问答题半导体中的杂质对半导体的能带结构和电学性质有何影响？
