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单选题
半导体中施主能级的位置位于（）。
A

禁带

B

满带

C

导带

D

价带

参考答案

参考解析
解析： 暂无解析
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考题 在低能量价带上聚集着许多电子,而高能量的导带上几乎没有电子,费米能级位于带隙中间。这种半导体称为()。 A、本征半导体B、P型半导体C、N型半导体D、PN结
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考题 N型半导体中杂质原子所形成的局部能级（也称施主能级），在能带中应处于（ ）。《》（ ）A.满带中 B.导带中 C.禁带中，但接近满带顶 D.禁带中，但接近导带底
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考题 半导体硅常用的施主杂质是（）。A、锡B、硫C、硼D、磷
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考题 当纳米粒子尺寸下降到某一值时，金属费米能级附近的电子能级由准连续变为离散能级的现象以及纳米半导体粒子能隙的调制现象，均被称为（）。
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考题 表面态中性能级位于费米能级以上时，该表面态为（）；A、施主态B、受主态C、电中性
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考题 简述费米能级的意义及半导体与费米能级的关系。
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考题 简述施主半导体的电导率与温度的关系。
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考题 n型半导体是在Si、Ge等四价元素中掺入少量（），p型半导体是在在四价元素Si、Ge等中掺入少量（）在价带附近形成掺杂的能级。
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考题 一般情况下，P型半导体的费米能级（）N型半导体的能级。A、高于B、小于C、等于D、无法确定
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考题 在半导体中掺入施主杂质，其将成为N型半导体。
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考题 p型半导体中杂质原子所形成的局部能级（也称受主能级），在能带结构中应处于（）。A、满带中B、导带中C、禁带中，但接近满带顶D、禁带中，但接近导带底
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考题 填空题施主杂质电离后成为不可移动的带正电的施主离子，同时向导带提供电子，使半导体成为电子导电的（）型半导体。受主杂离后成为不可移动的带负电的受主离子，同时向价带提供空穴．使半导体成为空穴导电的（）型半导体。
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考题 填空题P型半导体是向本征半导体中参入低价元素形成的。P型半导体中的导电粒子为（）。本征半导体的费米能级位于导带与禁带的中间。费米能级的位置随电子浓度的增加而（）。
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考题 填空题半导体的中，（）称为费米能级；对本征半导体，费米能级位于（），表示（）。费米能级靠近导带，表示（），是（）型半导体；费米能级靠近价带，表示（），是（）型半导体。
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考题 填空题施主能级和导带底之间的能量差，称为（）。
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考题 填空题由施主能级激发到导带中去的电子来导电的半导体，称为（）。
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考题 单选题如在半导体的禁带中有一个深杂质能级位于禁带中央，则它对电子的俘获率（）空穴的俘获率。A 大于B 等于C 小于D 有效的复合中心
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考题 单选题半导体中施主能级的位置位于（）中。A 禁带B 价带C 导带D 满带
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考题 问答题试按能级生成理论解释半导体气敏陶瓷的导电机理。
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考题 单选题表面态中性能级位于费米能级以上时，该表面态为（）；A 施主态B 受主态C 电中性
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考题 问答题什么是施主杂质能级？什么是受主杂质能级？它们有何异同？
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考题 名词解释题半导体施主能级
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考题 问答题简述半导体中浅能级和深能级掺杂对半导体的导电有何影响？
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考题 单选题半导体中受主能级的位置位于（）中。A 禁带B 价带C 导带D 满带
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考题 单选题对于P型半导体来说，以下说法正确的是（）A 电子为多子B 空穴为少子C 能带图中施主能级靠近于导带底D 能带图中受主能级靠近于价带顶
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考题 问答题以在Ge半导体掺入As为例，简述为什么类氢杂质能级的施主能级位于导带附近？
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考题 单选题电子亲和势，是指电子从（）到真空能级的能级差。A 导带底能级B 价带顶能级C 费米能级D 施主能级
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