网友您好， 请在下方输入框内输入要搜索的题目：

题目内容 （请给出正确答案）
N型半导体中杂质原子所形成的局部能级（也称施主能级），在能带中应处于（ ）。《》（ ）

A.满带中
B.导带中
C.禁带中，但接近满带顶
D.禁带中，但接近导带底

参考答案

参考解析
解析：N型半导体也称为电子型半导体，自由电子主要由杂质原子提供，空穴由热激发形成。掺入的杂质越多，多子（自由电子）的浓度就越高，导电性能就越强。杂质原子所形成的局部能级（也称施主能级），在能带中处于禁带但接近导带底。
更多 “N型半导体中杂质原子所形成的局部能级（也称施主能级），在能带中应处于（ ）。《》（ ）A.满带中 B.导带中 C.禁带中，但接近满带顶 D.禁带中，但接近导带底” 相关考题
考题 关于能带描述正确的是() A、满带指能带已经充满电子B、禁带是指电子不能存在的区域C、能带的电子充填情况等同于原子能级D、能带中能级的密度随能量增加而增加
查看答案
考题 原子光谱是由哪种跃迁产生的A、原子在能级之间B、基态原子在能级之间C、电子在能级之间D、电子在基态原子的能级之间E、电子在激发态原子的能级之间
查看答案
考题 氢原子能级如图 5 所示， 当氢原子从 n=3 跃迁到 n=2 的能级时， 辐射光的波长为 656nm。以下判断正确的是（ ） A． 氢原子从 n=2 跃迁到 n=l 的能级时， 辐射光的波长大于 656nm B． 用波长为 325nm 的光照射， 可使氢原子从 n=1 跃迁到 n=2 能级 C． 一群处于 n=3 能级上的氢原子向低能级跃迁时最多产生两种谱线 D． 用波长为 633nm 的光照射时， 不能使氢原子从 n=2 跃迁到 n=3 能级
查看答案
考题 如图为氢原子能级示意图的一部分，则氢原子( )。 A．从n＝4能级跃迁到n＝3能级比从n=3能级跃迁到n=2能级辐射出电磁波的波长长 B．从n=5能级跃迁到n=1能级比从n=5能级跃迁到n=4能级辐射出电磁波的速度大 C．处于不同能级时．核外电子在各处出现的概率是一样的 D．从高能级向低能级跃迁时．氢原子核一定向外放出能量
查看答案
考题 在固体的能带理论中，能带中最高能级与最低能级的能量差值即带宽，取决于聚集的原子数目。（）
查看答案
考题 能带是许多原子聚集体中，有许多原子轨道组成的近似连续的能级带。（）
查看答案
考题 n型半导体是在Si、Ge等四价元素中掺入少量（），p型半导体是在在四价元素Si、Ge等中掺入少量（）在价带附近形成掺杂的能级。
查看答案
考题 在纯净的半导体中掺入不同的杂质，可形成两种不同的杂质半导体，即N型半导体和（）半导体。
查看答案
考题 一般情况下，P型半导体的费米能级（）N型半导体的能级。A、高于B、小于C、等于D、无法确定
查看答案
考题 在半导体中掺入施主杂质，其将成为N型半导体。
查看答案
考题 p型半导体中杂质原子所形成的局部能级（也称受主能级），在能带结构中应处于（）。A、满带中B、导带中C、禁带中，但接近满带顶D、禁带中，但接近导带底
查看答案
考题 如果氢原子中质子与电子的电荷增加一倍，则由n=2的能级跃迁到n=1的能级所产生的辐射光能量将增加的倍数为（）。
查看答案
考题 在多电子原子中，（n-1）d能级的能量总是大于ns能级的。
查看答案
考题 孤立原子相互靠近时，为什么会发生能级分裂和形成能带？禁带的形成规律是什么？何为材料的能带结构？ 
查看答案
考题 填空题P型半导体是向本征半导体中参入低价元素形成的。P型半导体中的导电粒子为（）。本征半导体的费米能级位于导带与禁带的中间。费米能级的位置随电子浓度的增加而（）。
查看答案
考题 填空题半导体的中，（）称为费米能级；对本征半导体，费米能级位于（），表示（）。费米能级靠近导带，表示（），是（）型半导体；费米能级靠近价带，表示（），是（）型半导体。
查看答案
考题 单选题半导体中施主能级的位置位于（）中。A 禁带B 价带C 导带D 满带
查看答案
考题 单选题A 氢原子从n=2跃迁到n=1的能级时，辐射光的波长大于656nmB 用波长为325nm的光照射，可使氢原子从n=1跃迁到n=2能级C 一群处于n=3能级上的氢原子向低能级跃迁时最多产生两种谱线D 用波长为633nm的光照射时，不能使氢原子从n=2跃迁到n=3能级
查看答案
考题 问答题什么是施主杂质能级？什么是受主杂质能级？它们有何异同？
查看答案
考题 单选题半导体中施主能级的位置位于（）。A 禁带B 满带C 导带D 价带
查看答案
考题 名词解释题半导体施主能级
查看答案
考题 单选题N型半导体的费米能级处于禁带（）。A 中间B 上部C 下部D 不确定.
查看答案
考题 单选题对于P型半导体来说，以下说法正确的是（）A 电子为多子B 空穴为少子C 能带图中施主能级靠近于导带底D 能带图中受主能级靠近于价带顶
查看答案
考题 问答题以在Ge半导体掺入As为例，简述为什么类氢杂质能级的施主能级位于导带附近？
查看答案
考题 单选题A 从n =4能级跃迁到n=3能级比从n=3能级跃迁到n=2能级辐射出电磁波的波长长B 从n=5能级跃迁到n =l能级比从n=5能级跃迁到n=4能级辐射出电磁波的速度大C 处于不同能级时，核外电子在各处出现的概率是一样的D 从高能级向低能级跃迁时.氢原子核一定向外放出能量
查看答案
考题 单选题A 电子由n=2能级跃迁到n=1能级，放出光子为可见光B 大量氢原子处于n-4能级时，电子向低能级跃迁能发出6种频率的光子C 氢原子光谱是连续光谱D 氢原子处于n=2能级时，电子可吸收2.54eV的能量跃迁到高能级
查看答案
考题 单选题当单个原子的核外电子处在某一层轨道上时（）A 这个原子的能级就完全确定了B 这个原子的能级形成连续的能带C 这个原子的能级还受电子角动量、自旋的影响D 原子核的自旋对能级没有影响
查看答案
热门标签
最新试卷