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对于同时存在一种施主杂质和一种受主杂质的均匀掺杂的非简并半导体，在温度足够高、ni>>/ND-NA/时，半导体具有（）半导体的导电特性。

  • A、非本征
  • B、本征

参考答案

更多 “对于同时存在一种施主杂质和一种受主杂质的均匀掺杂的非简并半导体，在温度足够高、ni/ND-NA/时，半导体具有（）半导体的导电特性。A、非本征B、本征” 相关考题
考题 在杂质半导体中,多数载流子的浓度取决于();当杂质浓度一定时,少数载流子的浓度与()有关。 A、掺杂种类B、掺杂浓度C、温度D、电压
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考题 加到半导体中的杂质可以分成()种类型,一种杂质加到半导体中去后,在半导体中会产生许多带负电的(),这种半导体叫做()半导体。
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考题 PN结空间电荷区是（）。A、电子和空穴构成；B、正电荷和负电荷构成；C、施主离子；D、施主杂质原子和受主杂质原子构成。
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考题 半导体硅常用的受主杂质是（）。A、锡B、硫C、硼D、磷
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考题 加到半导体中的杂质可以分成（）种类型。一种杂质加到半导体中去后，在半导体中会产生许多缺少电子的（）。这种半导体叫做（）型半导体。
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考题 杂质半导体的导电性能是通过掺杂而大大提高的。
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考题 本征半导体（纯半导体）的Eg小于掺杂质半导体
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考题 杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（）。A、温度B、掺杂工艺C、掺杂浓度D、晶格缺陷
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考题 在杂质半导体中，少数载流子的浓度与（）有很大关系。A、温度B、掺杂工艺C、杂质浓度D、晶体管缺陷
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考题 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（）A、温度B、掺杂工艺C、杂质浓度D、晶体管缺陷
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考题 在杂质半导体中，少数载流子的浓度取决于（）A、温度B、掺杂元素C、掺杂浓度D、掺杂工艺
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考题 在半导体中掺入施主杂质，其将成为N型半导体。
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考题 在杂质半导体中，多数载流子的浓度取决于（）。A、晶体缺陷B、温度C、杂质浓度D、掺杂工艺
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考题 在半导体中掺入微量的有用杂质，制成掺杂半导体。掺杂半导体有（）。A、W型B、N型有P型C、U型
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考题 在半导体中掺人微量的有用杂质，制成掺杂半导体。掺杂半导体有（）。A、W型B、N型有P型C、U型D、V型
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考题 填空题施主杂质电离后成为不可移动的带正电的施主离子，同时向导带提供电子，使半导体成为电子导电的（）型半导体。受主杂离后成为不可移动的带负电的受主离子，同时向价带提供空穴．使半导体成为空穴导电的（）型半导体。
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考题 单选题通常把服从费米分布的半导体称为（）A 简并半导体B 非简并半导体C 杂质半导体D 化合物半导体
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考题 单选题如果杂质既有施主的作用又有受主的作用，则这种杂质称为（）。A 施主B 受主C 复合中心D 两性杂质
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考题 单选题杂质半导体中少数载流子浓度（）A 与掺杂浓度和温度无关B 只与掺杂浓度有关C 只与温度有关D 与掺杂浓度和温度有关
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考题 填空题SiO2-Si界面的杂质分凝：（）过程中，（）在两种材料中重新分布，（）吸引受主杂质（B）、排斥施主杂质（P、As）。
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考题 问答题施主杂质和受主杂质的含义是什么？
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考题 单选题对于同时存在一种施主杂质和一种受主杂质的均匀掺杂的非简并半导体，在温度足够高、ni/ND-NA/时，半导体具有（）半导体的导电特性。A 非本征B 本征
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考题 单选题施主杂质和受主杂质之间有相互抵消作用，通常称为（）A 杂质电离B 杂质补偿C 载流子复合D 载流子迁移
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考题 问答题什么是施主杂质能级？什么是受主杂质能级？它们有何异同？
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考题 填空题（）和（）是半导体器件的最常用掺杂方法。（）、（）是Si常用的施主杂质；（）是Si常用的受主杂质；（）是GaAs常用的P型掺杂剂；（）是GaAs常用的N型掺杂剂。
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考题 单选题掺有杂质的半导体在光照下，中性施主的束缚电子可以吸收光子而跃迁到导带，同样，中性受主的束缚空穴可以吸收光子而跃迁到价带，这种吸收称为（）A 本征吸收B 杂质吸收C 激子吸收D 晶格吸收
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考题 问答题举例说明什么是受主杂质，什么是p型半导体？
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