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在半导体中掺人微量的有用杂质,制成掺杂半导体。掺杂半导体有()。

  • A、W型
  • B、N型有P型
  • C、U型
  • D、V型

参考答案

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考题 杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于()。A、温度B、掺杂工艺C、掺杂浓度D、晶格缺陷

考题 在杂质半导体中,少数载流子的浓度与()有很大关系。A、温度B、掺杂工艺C、杂质浓度D、晶体管缺陷

考题 杂质半导体中的多数载流子是由掺杂产生的,少数载流子是由()产生的。

考题 在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于()A、温度B、掺杂工艺C、杂质浓度D、晶体管缺陷

考题 在杂质半导体中,少数载流子的浓度取决于()A、温度B、掺杂元素C、掺杂浓度D、掺杂工艺

考题 在杂质半导体中,多数载流子的浓度取决于()。A、晶体缺陷B、温度C、杂质浓度D、掺杂工艺

考题 在半导体中掺入微量的有用杂质,制成掺杂半导体。掺杂半导体有()。A、W型B、N型有P型C、U型

考题 在纯净的半导体中,掺微量杂质则导电能力会()在P型半导体和N型半导体之交界处的薄层叫()。

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