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杂质半导体中的多数载流子是由掺杂产生的,少数载流子是由()产生的。


参考答案

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考题 在杂质半导体中,多数载流子的浓度取决于();当杂质浓度一定时,少数载流子的浓度与()有关。 A、掺杂种类B、掺杂浓度C、温度D、电压

考题 杂质半导体中的多数载流子浓度取决于() A、掺杂浓度B、工艺C、温度D、晶体缺陷

考题 杂质半导体中的少数载流子浓度取决于() A、掺杂浓度B、工艺C、温度D、晶体缺陷

考题 P型半导体的多数载流子是_________,少数载流子是______。

考题 自由电子为多数载流子,空穴为少数载流子的杂质半导体称为P型半导体。()

考题 在掺杂半导体中多数载流子的浓度取决于()。 A、温度B、杂质浓度C、原本征半导体的纯度

考题 在杂质半导体中,少数载流子的浓度主要取决于() ,而多数载流子的浓度则与()有很大关系。 A.温度B.掺杂工艺C.杂质浓度D.晶体缺陷E.空穴F.自由电子

考题 在杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于杂质浓度,而少数载流子的浓度则与()有很大关系。A、温度B、掺杂工艺C、杂质浓度D、晶体缺陷

考题 在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于杂质浓度,而少数载流子的浓度则与()有很大关系。

考题 N型半导体中多数载流子是(),少数载流子是()。

考题 N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的()价元素组成的。这种半导体的多数载流子为(),少数载流子为()。不能移动的杂质离子带()电。

考题 在杂质半导体中,少数载流子的浓度主要取决于() ,而多数载流子的浓度则与()有很大关系。A、温度B、掺杂工艺C、杂质浓度D、晶体缺陷E、空穴F、自由电子

考题 在N型杂质半导体中,多数载流子是(),少数载流子是()。

考题 半导体中有()和()两种载流子。N型半导体中的少数载流子是(),多数载流子是()P型半导体中的少数载流子是(),多数载流子是()。

考题 半导体中的多数载流子是由()形成的,少数载流子是由()产生的。

考题 在杂质半导体中,多数载流子的浓度取决于(),而少数载流子的浓度则与()有很大关系

考题 N型半导体中的多数载流子是(),少数载流子是()。

考题 杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于()。A、温度B、掺杂工艺C、掺杂浓度D、晶格缺陷

考题 在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于(),而少数载流子的浓度则与()有很大关系。

考题 杂质半导体中的多数载流子和少数载流子是如何产生的?杂质半导体中少数载流子的浓度与本征半导体中载流子的浓度相比,哪个大?为什么?

考题 半导体中多数载流子的浓度是由掺杂浓度决定的

考题 在P型半导体中,()是多数载流子,()是少数载流子。

考题 在杂质半导体中,少数载流子的浓度取决于()A、温度B、掺杂元素C、掺杂浓度D、掺杂工艺

考题 PN结是()形成的。A、将P型和N型半导体掺杂B、在交界面上,多数载流子分别向对方扩散C、在交界面上,少数载流子分别向对方扩散D、多数载流子与少数载流子相互扩散

考题 在杂质半导体中,多数载流子的浓度取决于()。A、晶体缺陷B、温度C、杂质浓度D、掺杂工艺

考题 PN结反向漏电流是由()产生的。A、电子B、空穴C、少数载流子D、多数载流子

考题 单选题半导体中的少数载流子产生的原因是()A 外电场B 内电场C 掺杂D 热激发