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半导体中多数载流子的浓度是由掺杂浓度决定的


参考答案

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考题 在杂质半导体中,多数载流子的浓度取决于();当杂质浓度一定时,少数载流子的浓度与()有关。 A、掺杂种类B、掺杂浓度C、温度D、电压

考题 杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于()。 A、杂质浓度B、温度C、输入D、电压

考题 杂质半导体中的多数载流子浓度取决于() A、掺杂浓度B、工艺C、温度D、晶体缺陷

考题 杂质半导体中的少数载流子浓度取决于() A、掺杂浓度B、工艺C、温度D、晶体缺陷

考题 在掺杂半导体中多数载流子的浓度取决于()。 A、温度B、杂质浓度C、原本征半导体的纯度

考题 在杂质半导体中,少数载流子的浓度主要取决于() ,而多数载流子的浓度则与()有很大关系。 A.温度B.掺杂工艺C.杂质浓度D.晶体缺陷E.空穴F.自由电子

考题 在杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于杂质浓度,而少数载流子的浓度则与()有很大关系。A、温度B、掺杂工艺C、杂质浓度D、晶体缺陷

考题 迁移率是反映半导体中载流子导电能力的重要参数。掺杂半导体的电导率一方面取决于掺杂的浓度,另一方面取决于迁移率的大小。同样的掺杂浓度,载流子的迁移率越大,材料的电导率就越高。()

考题 在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于杂质浓度,而少数载流子的浓度则与()有很大关系。

考题 本征半导体中掺入少量三价元素,构成的是P型掺杂半导体,其中多数的载流子是()型;若在本征半导体中掺入少量的()元素,构成的是()型半导体,其中多数载流子是()。

考题 半导体材料的电阻率与载流子浓度有关,同样的掺杂浓度,载流子的迁移率越大,材料的电阻率()A、越高B、不确定C、越低D、不变

考题 掺杂半导体中多数载流子的浓度主要取决于(),它与()几乎没有关系;而少数载流子的浓度则主要与()有关,因而它的大小与()有关

考题 在杂质半导体中,少数载流子的浓度主要取决于() ,而多数载流子的浓度则与()有很大关系。A、温度B、掺杂工艺C、杂质浓度D、晶体缺陷E、空穴F、自由电子

考题 在本征半导体中掺入少量三价元素,构成的是()型掺杂半导体,其中多数的载流子是();若在本征半导体中掺入少量的五价元素,构成的是()型半导体,其中多数载流子是()。

考题 在杂质半导体中,多数载流子的浓度取决于(),而少数载流子的浓度则与()有很大关系

考题 杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于()。A、温度B、掺杂工艺C、掺杂浓度D、晶格缺陷

考题 在杂质半导体中,少数载流子的浓度与()有很大关系。A、温度B、掺杂工艺C、杂质浓度D、晶体管缺陷

考题 在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于(),而少数载流子的浓度则与()有很大关系。

考题 杂质半导体中的多数载流子和少数载流子是如何产生的?杂质半导体中少数载流子的浓度与本征半导体中载流子的浓度相比,哪个大?为什么?

考题 杂质半导体中的多数载流子是由掺杂产生的,少数载流子是由()产生的。

考题 在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于()A、温度B、掺杂工艺C、杂质浓度D、晶体管缺陷

考题 在杂质半导体中,少数载流子的浓度取决于()A、温度B、掺杂元素C、掺杂浓度D、掺杂工艺

考题 在杂质半导体中,多数载流子的浓度取决于()。A、晶体缺陷B、温度C、杂质浓度D、掺杂工艺

考题 单选题杂质半导体中少数载流子浓度()A 与掺杂浓度和温度无关B 只与掺杂浓度有关C 只与温度有关D 与掺杂浓度和温度有关

考题 填空题()和()是半导体的主要载流子,N型半导体中()浓度高于()浓度,而 P型半导体中()浓度高于 电子浓度,()半导体中的两种载流子浓度相等。

考题 填空题本征半导体中掺入少量三价元素,构成的是P型掺杂半导体,其中多数的载流子是()型;若在本征半导体中掺入少量的()元素,构成的是()型半导体,其中多数载流子是()。

考题 单选题半导体材料的电阻率与载流子浓度有关,同样的掺杂浓度,载流子的迁移率越大,材料的电阻率()A 越高B 不确定C 越低D 不变