考题
杂质半导体中的多数载流子浓度取决于()
A、掺杂浓度B、工艺C、温度D、晶体缺陷
考题
下列物质中载流子最多的是()。A.本征半导体B.掺杂半导体C.导体D.绝缘体
考题
在掺杂半导体中多数载流子的浓度取决于()。
A、温度B、杂质浓度C、原本征半导体的纯度
考题
半导体芯片生产中，离子注入主要是用来（）。A、氧化B、改变导电类型C、涂层D、改变材料性质E、镀膜
考题
本征半导体中掺入少量三价元素，构成的是P型掺杂半导体，其中多数的载流子是（）型；若在本征半导体中掺入少量的（）元素，构成的是（）型半导体，其中多数载流子是（）。
考题
什么叫掺杂半导体？什么叫N型半导体？什么叫P型半导体？
考题
根据扩散原理，将三价（硼）或五价（磷）杂质原子掺入到硅半导体材料中（）A、 温度越高，掺杂越快B、 温度越低，掺杂越快C、 温度恒定，掺杂最快D、 掺杂快慢与温度无关
考题
对于浓度覆盖很宽的杂质原子，可以采用（）方法引入到硅片中。A、离子注入B、溅射C、淀积D、扩散
考题
本征半导体（纯半导体）的Eg小于掺杂质半导体
考题
半导体的压阻效应与掺杂度、温度、材料类型和半导体的晶向有关。
考题
在本征半导体中掺入少量三价元素，构成的是（）型掺杂半导体，其中多数的载流子是（）；若在本征半导体中掺入少量的五价元素，构成的是（）型半导体，其中多数载流子是（）。
考题
下列掺杂半导体属于n型半导体的是（）A、In掺杂的GeB、As掺入GeC、As掺入SiD、InSb中，Si占据Sb的位置E、GaN中，Mg占据Ga的位置
考题
杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（）。A、温度B、掺杂工艺C、掺杂浓度D、晶格缺陷
考题
在杂质半导体中，少数载流子的浓度取决于（）A、温度B、掺杂元素C、掺杂浓度D、掺杂工艺
考题
在半导体中掺入微量的有用杂质，制成掺杂半导体。掺杂半导体有（）。A、W型B、N型有P型C、U型
考题
下列物质中载流子最多的是（）。A、本征半导体B、掺杂半导体C、导体D、绝缘体
考题
在半导体中掺人微量的有用杂质，制成掺杂半导体。掺杂半导体有（）。A、W型B、N型有P型C、U型D、V型
考题
填空题本征半导体中掺入少量三价元素，构成的是P型掺杂半导体，其中多数的载流子是（）型；若在本征半导体中掺入少量的（）元素，构成的是（）型半导体，其中多数载流子是（）。
考题
单选题根据扩散原理，将三价（硼）或五价（磷）杂质原子掺入到硅半导体材料中（）A
温度越高，掺杂越快B
温度越低，掺杂越快C
温度恒定，掺杂最快D
掺杂快慢与温度无关
考题
问答题扩散掺杂与离子注入掺杂所形成的杂质浓度分布各自的特点是什么？与扩散掺杂相比离子注入掺杂的优势与缺点各是什么？
考题
单选题若一种材料的电阻率随温度升高先下降后升高，则该材料是（）。A
本征半导体B
金属C
化合物半导体D
掺杂半导体
考题
填空题（）和（）是半导体器件的最常用掺杂方法。（）、（）是Si常用的施主杂质；（）是Si常用的受主杂质；（）是GaAs常用的P型掺杂剂；（）是GaAs常用的N型掺杂剂。
考题
单选题杂质半导体中少数载流子浓度（）A
与掺杂浓度和温度无关B
只与掺杂浓度有关C
只与温度有关D
与掺杂浓度和温度有关
考题
问答题简述半导体中浅能级和深能级掺杂对半导体的导电有何影响？
考题
判断题半导体的压阻效应与掺杂度、温度、材料类型和半导体的晶向有关。A
对B
错
考题
填空题离子注入掺杂剂量偏差的原因主要来源于：（）、（）和可能的（）。 例如：当作28Si+注入时，可能有真空系统中剩余气体产生的（）也会同时注入。
