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对于浓度覆盖很宽的杂质原子，可以采用（）方法引入到硅片中。

  • A、离子注入
  • B、溅射
  • C、淀积
  • D、扩散

参考答案

更多 “对于浓度覆盖很宽的杂质原子，可以采用（）方法引入到硅片中。A、离子注入B、溅射C、淀积D、扩散” 相关考题
考题 离子注入层的杂质浓度主要取决于离子注入的（）。A、能量B、剂量
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考题 假设进行一次受固溶度限制的预淀积扩散，从掺杂玻璃源引入的杂质总剂量为Qcm-2。
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考题 溅射法是由（）轰击靶材表面，使靶原子从靶表面飞溅出来淀积在衬底上形成薄膜。A、电子B、中性粒子C、带能离子
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考题 一般来说，溅射镀膜的过程包括（）这几步。A、产生一个离子并导向靶B、被轰击的原子向硅晶片运动C、离子把靶上的原子轰出来D、经过加速电场加速E、原子在硅晶片表面凝结
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考题 （）是指每个入射离子溅射出的靶原子数。A、溅射率B、溅射系数C、溅射效率D、溅射比
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考题 （）是与气体辉光放电现象密切想关的一种薄膜淀积技术。A、蒸镀B、离子注入C、溅射D、沉积
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考题 通常热扩散分为两个大步骤，其中第一个步骤是（）。A、再分布B、等表面浓度扩散C、预淀积D、等总掺杂剂量扩散
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考题 在空位扩散中，如果迁移的空位的原子是杂质原子，扩散称为（）。A、填隙扩散B、杂质扩散C、推挤扩散D、自扩散
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考题 用高能粒子从某种物质的表面撞击出原子的物理过程叫（）。A、蒸镀B、离子注入C、溅射D、沉积
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考题 根据扩散原理，将三价（硼）或五价（磷）杂质原子掺入到硅半导体材料中（）A、 温度越高，掺杂越快B、 温度越低，掺杂越快C、 温度恒定，掺杂最快D、 掺杂快慢与温度无关
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考题 制结可以用多种方法制备晶体硅太阳能电池的p–n结，通常采用（）A、离子注入法B、外延法C、激光法D、扩散法
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考题 判断题实现对CVD淀积多晶硅掺杂主要有三种工艺：扩散、离子注入、原位掺杂。由于原位掺杂比较简单，所以被广泛采用。A 对B 错
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考题 填空题杂质原子（或离子）在半导体晶片中的扩散机构比较复杂，但主要可分为两种机构：替位式扩散和（）式扩散。
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考题 单选题杂质在硅晶体中的扩散机制主要有两种，分别是间隙式扩散机制和替代式扩散机制。杂质只有在成为硅晶格结构的一部分，即（），才有助于形成半导体硅。A  激活杂质后B  一种物质在另一种物质中的运动C  预淀积D  高温多步退火
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考题 问答题以铝互连系统作为一种电路芯片的电连系统时，若分别采用真空蒸镀和磁控溅射工艺淀积铝膜，应分别从哪几方面来提高其台阶覆盖特性？
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考题 单选题受固溶引入的杂质离子的电价和浓度等外界因素所控制的扩散是（）。A 本征扩散B 非本征扩散C 正扩散D 逆扩散
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考题 判断题CVD是利用某种物理过程，例如蒸发或者溅射现象实现物质的转移，即原子或分子由源转移到衬底（硅）表面上，并淀积成薄膜。A 对B 错
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考题 单选题根据扩散原理，将三价（硼）或五价（磷）杂质原子掺入到硅半导体材料中（）A  温度越高，掺杂越快B  温度越低，掺杂越快C  温度恒定，掺杂最快D  掺杂快慢与温度无关
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考题 问答题扩散掺杂与离子注入掺杂所形成的杂质浓度分布各自的特点是什么？与扩散掺杂相比离子注入掺杂的优势与缺点各是什么？
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考题 判断题有限表面源扩散与离子注入的杂质分布都满足高斯函数，两种掺杂工艺杂质最高浓度位置都在硅片表面。A 对B 错
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考题 判断题预淀积扩散是为了提供足够的杂质总量，而再分布扩散是为了达到需要的扩散深度并同时在硅的表面获得一定厚度的氧化层。A 对B 错
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考题 判断题虽然直至今日我们仍普遍采用扩散区一词，但是硅片制造中已不再用杂质扩散来制作pn结，取而代之的是离子注入。A 对B 错
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考题 判断题离子注入能够重复控制杂质的浓度和深度，因而在几乎所有应用中都优于扩散。A 对B 错
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考题 填空题扩散的目的是为了实现对半导体掺杂，杂质扩散的深度与（）有关，服从（）。杂质扩散通常分为等表面浓度扩散，也（），和固定杂质总量扩散，也称（）。预淀积的分布是（）函数，再分布扩散的杂质呈（）函数分布。
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考题 问答题为溅射做一个简短的解释，并描述它的工作方式？溅射适合于合金淀积吗？溅射淀积的优点是什么？
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考题 判断题在晶片制造中，有两种方法可以向硅片中引入杂质元素，即热扩散和离子注入。A 对B 错
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考题 判断题在硅中固态杂质的热扩散需要三个步骤：预淀积、推进和激活。A 对B 错
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