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判断题
在晶片制造中，有两种方法可以向硅片中引入杂质元素，即热扩散和离子注入。
A

对

B

错

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考题 钢轨在制造过程中含硅过多（0.9％）容易在焊缝中产生（）、杂质。
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考题 对于浓度覆盖很宽的杂质原子，可以采用（）方法引入到硅片中。A、离子注入B、溅射C、淀积D、扩散
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考题 下列哪两种杂质是钢中的有害元素，但它们能使切屑易断，可改善切削加工性能（）。A、硅和磷B、锰和硫C、碳和硫D、硫和磷
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考题 碳素钢中除铁和碳两种元素外，还有一些常存元素，有害的常存元素是（）。A、硅、锰B、硫、磷C、硅、磷
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考题 地壳中含量最多的两种元素是（）。A、氧和铝B、铝和硅C、铁和镁D、氧和硅
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考题 填空题杂质原子（或离子）在半导体晶片中的扩散机构比较复杂，但主要可分为两种机构：替位式扩散和（）式扩散。
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考题 填空题杂质在硅晶体中的扩散机制主要有两种，分别是（）扩散和（）扩散。杂质只有在成为硅晶格结构的一部分，即（），才有助于形成半导体硅。
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考题 单选题杂质在硅晶体中的扩散机制主要有两种，分别是间隙式扩散机制和替代式扩散机制。杂质只有在成为硅晶格结构的一部分，即（），才有助于形成半导体硅。A  激活杂质后B  一种物质在另一种物质中的运动C  预淀积D  高温多步退火
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考题 填空题热扩散利用（）驱动杂质穿过硅的晶体结构，这种方法受到（）和（）的影响。
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考题 填空题压电晶片连接方式有两种，即（）和并联.
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考题 单选题下列哪两种杂质是钢中的有害元素，但它们能使切屑易断，可改善切削加工性能()。A 硅和磷B 锰和硫C 碳和硫D 硫和磷
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考题 判断题在晶片制造中，有两种方法可以向硅片中引入杂质元素，即热扩散和离子注入。A 对B 错
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考题 单选题离子注入与热扩散相比，哪个横向效应小（）A  离子注入B  热扩散
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考题 填空题硅中固态杂质的热扩散需要三个步骤（）、（）和（）。
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考题 判断题在硅中固态杂质的热扩散需要三个步骤：预淀积、推进和激活。A 对B 错
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