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制结可以用多种方法制备晶体硅太阳能电池的p–n结,通常采用()

  • A、离子注入法
  • B、外延法
  • C、激光法
  • D、扩散法

参考答案

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考题 迄今为止,人们已研究了100多种不同材料、不同结构、不同用途和不同形式的太阳能电池,按材料可分为()等。 A.同质结太阳能电池B.异质结太阳能电池C.肖特基结太阳能电池D.复合结太阳能电池

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考题 非晶硅太阳能电池的基本构造是下列的哪种?()A、梳状电极→减反膜→n型硅→p型硅→反电极B、梳状电极→TCO→p型硅→i型硅→n型硅→SSC、梳状电极→TCO→n型硅→p型硅→i型硅→导电玻璃D、梳状电极→TCO→p型硅→n型硅→i型硅→SS

考题 异质结太阳能电池的结构是在P型基片上,覆盖一层n型顶区层,两者的交界面构成一个异质结,然后在顶区层下面制作栅状金属电场,正背制作底面金属电极。

考题 硅太阳能电池一般制成p+/n型结构或n+/P型结构。

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考题 晶体硅太阳能电池

考题 使PN结正偏的方法是:将P区接()电位,N区接()电位。

考题 使PN结正偏的方法是:将P区接()电位,N区接()电位。正偏时PN结处于()状态,反偏时PN结处于()状态。

考题 可控硅比普通半导体多一个()A、N极B、P极C、控制极D、PN结

考题 单选题绝缘栅场效应晶体管根据结构不同分为()A P沟道增强型效应晶体管和N沟道结型场效应晶体管B 增强型绝缘栅场效应晶体管和耗尽型绝缘栅场效应晶体管C N沟道结型场效应晶体管和P沟道增强型场效应晶体管D N沟道结型场效应晶体管和P沟道绝缘栅型场效应晶体管

考题 填空题浅结制备的常用方法是:()、()加()。而()型浅结比()型浅结更难制备。P型浅结常用()、()、()来获得。

考题 问答题异质结太阳能电池通常采用什么样的结构?为什么?

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考题 问答题试比较p-n结和肖特基结的主要异同点。