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太阳能电池片被掺杂了磷的那部分称为（）。

  • A、耗尽区
  • B、N区
  • C、P-N结
  • D、P区

参考答案

更多 “太阳能电池片被掺杂了磷的那部分称为（）。A、耗尽区B、N区C、P-N结D、P区” 相关考题
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考题 晶体二极管实际上是把一个PN结两端加上引线的半导体器件,其中()。 A、P区为正，N区为负B、N区为正，P区为负C、P区、N区皆为负D、P区、N区皆为正
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考题 PN结加正向偏置是指()。 A.P区接电源负极，N区接电源正极B.P区接电源正极，N区接电源负极C.P区和N区都接电源正极
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考题 当电源正极接N区，负极接P区时，称为给PN结加反向电压或反向偏置。（）
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考题 P-N结是什么？
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考题 太阳能电池片被掺杂了磷的那部分称为（）
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考题 在足够能量的光照射太阳电池表面时，在P-N结内建电场的作用下N区的（）向P区运动。
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考题 PN结的P区接电源负极，N区接电源正极，称为（）偏置接法。A、正向B、反向C、零
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考题 PN结加正向电压是指（），当PN所承受正向电压大于起始电压时，PN结导通A、P区接电源正极B、P区接电源负极C、N区接电源正极D、N区接电源负极
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考题 如果在PN结的两端加一个电压，其方向是（）这个外加电压称为反向电压。A、“P区接正N区接负”B、“P区接负N区接正”C、与电流同向D、与电流反向
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考题 PN结呈现正向导通的条件是：（）A、P区电位低于N区电位B、N区电位低于P区电位C、P区电位等于N区电位D、都不对
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考题 在足够能量的光照条件，晶体硅太阳电池在P-N结内建电场的作用下，N区的（）向P区运动.。A、电子B、空穴C、质子D、原子
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考题 在足够能量的光照射太阳电池表面时，在P-N结内建电场的作用下，N区的空穴向P区运动，P区的（）向N区运动。
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考题 当PN结及附近被光照时，若光子能量大于材料禁带宽度将会产生电子空穴对，在内电场作用下，电子、空穴分别漂移到（）和（），使P端电势（）N端电势（），以下正确的是（）A、P区；N区；升高；降低B、N区；P区；升高；降低C、N区；P区；降低；升高D、P区；N区；降低；升高
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考题 光生电流包括（）。A、耗尽区内的光生载流子形成的电流B、P区的光生载流子形成的电流C、N区的光生载流子形成的电流D、无外加电压和光子入射时，PN结输出电流
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考题 PN结外加正向电压，即电源的正极接P区，电源的负极接N区，这种接法称为（）或（）。
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考题 PN结正偏是指P区电位（）N区电位。
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考题 PN结的P区接电源负极，N区接电源正级，称为（）偏置接法。A、正向B、反向C、零D、击穿
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考题 单选题简述光生伏特效应中正确的是（）A 用能量小于禁带宽度的光子照射p-n结；B p、n区都产生电子—空穴对，产生平衡载流子；C 平衡载流子破坏原来的热平衡；D 非平衡载流子在内建电场作用下，n区空穴向p区扩散，p区电子向n区扩散；若p-n结开路，在结的两边积累电子—空穴对，产生开路电压。
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考题 填空题在足够能量的光照射太阳电池表面时，在P-N结内建电场的作用下N区的（）向P区运动。
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考题 单选题PN结光生伏特效应（）。A 电子集中的P区B 电子集中的N区结表面C 电子集中的P区表面D 电子集中的N区表面
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考题 问答题在导出P－N结的I－V特性时，全部偏压都降在结空间电荷区。试说明这一假设的合理性。
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考题 填空题太阳能电池片被掺杂了磷的那部分称为（）
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考题 单选题当半导体PN结受光照射时，光子在（）激发出电子－空穴对。在自建电场的作用下，电子流向N区，空穴流向P区，使P区和N区两端产生电位差，P端为正，N端为负，这种效应称为光生伏特效应。A P区；B N区；C 结区；D 中间区。
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考题 填空题由于源、漏区的掺杂浓度（）于沟道区的掺杂浓度，所以MOSFET源、漏PN结的耗尽区主要向（）区扩展，使MOSFET的源、漏穿通问题比双极型晶体管的基区穿通问题（）。
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考题 填空题当采用耗尽近似时，由N 型耗尽区中的泊松方程可以看出，掺杂浓度越高，则内建电场的斜率越（）。
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