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在足够能量的光照条件，晶体硅太阳电池在P-N结内建电场的作用下，N区的（）向P区运动.。

  • A、电子
  • B、空穴
  • C、质子
  • D、原子

参考答案

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考题 在静电场中，有一个带电体在电场力的作用下移动，由此所做的功的能量来源是： A.电场能 B.带电体自身的能量 C.电场能和带电体自身的能量 D.电场外部的能量
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考题 免疫电泳技术的实质是A.在直流电场作用下的凝胶扩散试验B.在交流电场作用下的凝胶扩散试验C.在直流电场作用下的双扩散试验D.在交流电场作用下的双扩散试验E.在直流电场作用下的沉淀试验
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考题 在太阳能供电系统中，( )是目前在通信系统应用最广泛的一种太阳电池，其效率可达18％，但价格较高。A.单晶硅太阳电池 B.非晶硅太阳电池 C.砷化镓太阳电池 D.硫(碲)化镉太阳电池
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考题 在交变电场作用下，绝缘中消耗的能量称为介质损耗。
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考题 免疫电泳技术的实质是（）A、在直流电场作用下的凝胶扩散试验B、在交流电场作用下的凝胶扩散试验C、在直流电场作用下的双扩散试验D、在交流电场作用下的双扩散试验E、在直流电场作用下的沉淀试验
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考题 降低太阳电池成本的方法主要有（）。A、进一步提高晶体硅太阳电池的转换效率B、开发聚光太阳电池C、开发薄膜太阳电池D、开发固态电池
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考题 在足够能量的光照射太阳电池表面时，在P-N结内建电场的作用下N区的（）向P区运动。
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考题 目前，实现商业化批量生产的、能量转化效率最高的光伏电池类型是（）。A、单晶硅太阳电池；B、多晶硅太阳电池；C、薄膜太阳电池；D、化合物电池。
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考题 （2009）在静电场中，有一个带电体在电场力的作用下移动，由此所做的功的能量来源是：（）A、电场能B、带电体自身的能量C、电场能和带电体自身的能量D、电场外部能量
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考题 在静电场中，有一个带电体在电场力的作用下移动，由此所作的功的能量来源是（）。A、电场能B、带电体自身的能量C、电场能和带电体自身的能量D、电场外部能量
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考题 在阴极斑点中，电子在（）的作用下，得到足够的能量而逸出。A、电场和热能B、电场和磁场C、磁场和热能D、电场和光能
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考题 离子晶体在弱电场的作用下，离子的迁移率与（）无关，与（）和（）有关。
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考题 由于PN结内存在着内电场，因此在PN结两边就有电位差。下列说法正确的是（）。A、在硅材料和锗材料的PN结分别约为0.7V和0.4VB、硅材料和锗材料的PN结分别约为0.9V和0.2VC、电位降落的方向和内电场方向相反D、硅材料和锗材料的PN结分别约为0.5V和0.2V
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考题 PN结内扩散电流是载流子在电场作用下形成的。
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考题 在足够能量的光照射太阳电池表面时，在P-N结内建电场的作用下，N区的空穴向P区运动，P区的（）向N区运动。
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考题 当前太阳能光伏电池的主流是（）A、晶体硅太阳电池技术B、薄膜太阳电池技术C、聚光太阳电池技术D、染料敏化太阳电池
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考题 在足够能量的光照射太阳电池表面时，在P-N结内建电场的作用下P区的（）向N区运动。A、电子B、空穴C、质子D、光子
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考题 实际生产并应用的太阳电池有（　）。A、单晶硅太阳电池B、非晶硅太阳电池C、多晶硅太阳电池D、砷化镉太阳电池E、硫(碲)化镓太阳电池
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考题 在平衡p-n结中，由内件电场VD作用下形成的漂移电流等于载流子浓度差形成的扩散电流，而使p-n结中的静电流为零。
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考题 介质损失是绝缘介质（）的能量损失。A、在直流电场作用下B、在交流电场作用下C、表面泄漏D、电容电流
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考题 单选题简述光生伏特效应中正确的是（）A 用能量小于禁带宽度的光子照射p-n结；B p、n区都产生电子—空穴对，产生平衡载流子；C 平衡载流子破坏原来的热平衡；D 非平衡载流子在内建电场作用下，n区空穴向p区扩散，p区电子向n区扩散；若p-n结开路，在结的两边积累电子—空穴对，产生开路电压。
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考题 填空题在足够能量的光照射太阳电池表面时，在P-N结内建电场的作用下N区的（）向P区运动。
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