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硅晶体管和锗晶体管工作于放大状态时,其发射结电压UBE分别为()和()。

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考题 晶体管工作在放大状态时,必须满足外加电压发射结(),集电结()。
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考题 硅晶体管和锗晶体管工作于放大状态时,其发射结电压UBE分别为()V和()V。
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考题 硅晶体管的饱和电压降为(),锗晶体管的饱和电压降为()。
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考题 为了使晶体管正常工作在放大状态,发射结必须加()电压,集电结必须加()电压。
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考题 硅晶体管发射结的导通电压约为(),锗晶体管发射结的导通电压约为()。
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考题 设所有的二极管X晶体管为硅管，二极管正向压降为0.3V，晶体管发射结导通压降UBE＝0.7V，则图中各晶体管的工作状态正确的是（　　）。 A． VT1饱和，VT2饱和 B． VT1截止，VT2饱和 C． VT1截止，VT2放大 D． VT1放大，VT2放大
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考题 晶体管工作在放大状态时，发射结正偏，对于硅管约为（）V，锗管约为0.3V。A.0.7 B.0.5 C.0.3 D.0.1
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考题 为了保证晶体管工作在放大区，双极型晶体管的发射结和集电结都应加上正向偏置电压。
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考题 工作在放大状态的NPN三极管，其发射结电压UBE和集电结电压UBC应为（）。A．UBE＞0，UBC＜0B．UBE＞0，UBC＞0C．UBE＜0，UBC＜0D．UBE＜0，UBC＞0
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