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扩散掺杂与离子注入掺杂所形成的杂质浓度分布各自的特点是什么？与扩散掺杂相比离子注入掺杂的优势与缺点各是什么？

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考题 关于BJT的结构特点说法错误的是()。A、基区很薄且掺杂浓度很低B、发射区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度C、基区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度D、集电区面积大于发射区面积
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考题 导电聚合物的还原掺杂（也称n型掺杂）一般是用卤素掺杂。（）
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考题 半导体中的离子注入掺杂是把掺杂剂（）加速到的需要的（），直接注入到半导体晶片中，并经适当温度的（）。
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考题 根据扩散原理，将三价（硼）或五价（磷）杂质原子掺入到硅半导体材料中（）A、 温度越高，掺杂越快B、 温度越低，掺杂越快C、 温度恒定，掺杂最快D、 掺杂快慢与温度无关
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考题 砷掺杂Si的导电机理是什么？
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考题 填空题离子注入机的对Si衬底作P型掺杂的源气常用（），N型掺杂的源气常用（）和（）。对GaAs做N型掺杂的源气常用（）
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考题 判断题实现对CVD淀积多晶硅掺杂主要有三种工艺：扩散、离子注入、原位掺杂。由于原位掺杂比较简单，所以被广泛采用。A 对B 错
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考题 单选题杂质半导体中少数载流子浓度（）A 与掺杂浓度和温度无关B 只与掺杂浓度有关C 只与温度有关D 与掺杂浓度和温度有关
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考题 判断题热扩散掺杂的工艺可以一步实现。A 对B 错
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考题 问答题掺杂的目的是什么？掺杂在何时进行？惨杂方法有哪几种？
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考题 问答题常用掺杂方法是什么？
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考题 问答题掺杂的目的是什么？举出两种掺杂方法并比较其优缺点。
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考题 判断题有限表面源扩散与离子注入的杂质分布都满足高斯函数，两种掺杂工艺杂质最高浓度位置都在硅片表面。A 对B 错
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考题 单选题根据扩散原理，将三价（硼）或五价（磷）杂质原子掺入到硅半导体材料中（）A  温度越高，掺杂越快B  温度越低，掺杂越快C  温度恒定，掺杂最快D  掺杂快慢与温度无关
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考题 填空题扩散的目的是为了实现对半导体掺杂，杂质扩散的深度与（）有关，服从（）。杂质扩散通常分为等表面浓度扩散，也（），和固定杂质总量扩散，也称（）。预淀积的分布是（）函数，再分布扩散的杂质呈（）函数分布。
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考题 判断题在现代集成电路加工技术中，主流的掺杂技术是扩散掺杂。A 对B 错
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考题 单选题离子注入与热扩散相比，哪个横向效应小（）A  离子注入B  热扩散
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考题 填空题由点缺陷（肖特基和弗兰克尔缺陷）引起的扩散为（）扩散，空位来源于掺杂而引起的扩散为（）扩散。
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