考题
关于BJT的结构特点说法错误的是()。A、基区很薄且掺杂浓度很低B、发射区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度C、基区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度D、集电区面积大于发射区面积
考题
导电聚合物的氧化掺杂也称p型掺杂，指用碱金属进行掺杂。（）
考题
导电聚合物的还原掺杂（也称n型掺杂）一般是用卤素掺杂。（）
考题
辐射加工技术一般包含哪些（）。A、辐射交联B、离子束注入C、离子掺杂D、辐照育种
考题
以下掺杂半导体中属于n型的是（）A、In掺杂的GeB、As掺杂的GeC、InSb中，Si占据Sb的位置D、GaN中，Mg占据Ga的位置
考题
根据扩散原理，将三价（硼）或五价（磷）杂质原子掺入到硅半导体材料中（）A、 温度越高，掺杂越快B、 温度越低，掺杂越快C、 温度恒定，掺杂最快D、 掺杂快慢与温度无关
考题
N型半导体中的自由电子是（）形成的。A、掺杂B、能量击发C、掺杂与能量击发
考题
在杂质半导体中，少数载流子的浓度取决于（）A、温度B、掺杂元素C、掺杂浓度D、掺杂工艺
考题
在半导体中掺入微量的有用杂质，制成掺杂半导体。掺杂半导体有（）。A、W型B、N型有P型C、U型
考题
填空题现代主流的集成电路加工技术为CMOS工艺，即最基本的器件是由（）和NMOS组成。
考题
判断题实现对CVD淀积多晶硅掺杂主要有三种工艺：扩散、离子注入、原位掺杂。由于原位掺杂比较简单，所以被广泛采用。A
对B
错
考题
单选题微传感器的加工工艺不包括（）。A
光刻技术B
HARQ技术C
半导体掺杂技术D
LIGA技术
考题
判断题热扩散掺杂的工艺可以一步实现。A
对B
错
考题
问答题半导体工艺技术的主要掺杂工艺包括哪两种？
考题
问答题掺杂的目的是什么？掺杂在何时进行？惨杂方法有哪几种？
考题
单选题在较先进的集成电路制造工艺中，通常采（）来实现掺杂。A
刻蚀B
离子注入C
光刻D
金属化
考题
单选题现代集成电路制造工艺中，主流掺杂技术为（）A
扩散B
化学机械抛光C
刻蚀D
离子注入
考题
问答题在集成电路制造工艺中，轻掺杂漏（LDD）注入工艺是如何减少结和沟道区间的电场，从而防止热载流子的产生？
考题
问答题扩散掺杂与离子注入掺杂所形成的杂质浓度分布各自的特点是什么？与扩散掺杂相比离子注入掺杂的优势与缺点各是什么？
考题
填空题集成电路制造中掺杂类工艺有（）和（）两种。
考题
单选题根据扩散原理，将三价（硼）或五价（磷）杂质原子掺入到硅半导体材料中（）A
温度越高，掺杂越快B
温度越低，掺杂越快C
温度恒定，掺杂最快D
掺杂快慢与温度无关
考题
判断题晶体管的源漏区的掺杂采用自对准技术，一次掺杂成功。A
对B
错
考题
填空题由点缺陷（肖特基和弗兰克尔缺陷）引起的扩散为（）扩散，空位来源于掺杂而引起的扩散为（）扩散。
