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以下掺杂半导体中属于n型的是()

  • A、In掺杂的Ge
  • B、As掺杂的Ge
  • C、InSb中,Si占据Sb的位置
  • D、GaN中,Mg占据Ga的位置

参考答案

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考题 N型半导体中的多子是带负电的自由电子载流子,P型半导体中的多子是带正电的空穴载流子,因此说N型半导体带负电,P型半导体带正电。() 此题为判断题(对,错)。

考题 对于金属氧化物,下列条件中()能形成n型半导体。 A、掺杂低价金属离子B、氧缺位C、引入电负性大的原子D、高价离子同晶取代

考题 硅太阳能电池是以n型硅半导体作基体,再用掺杂的方法在其表面制作一层薄的×××型硅半导体构成。

考题 怎样区分N型半导体和P型半导体()A、N型半导体掺入5价元素,P型半导体掺入3价元素B、N型半导体掺入3价元素,P型半导体掺入5价元素C、N型半导体和P型半导体的掺杂相同,但接头不同D、N型半导体的空穴过剩,P型半导体的空穴不

考题 N型半导体中多数载流子是电子,因此N型半导体带负电。

考题 关于P型.N型半导体内参与电的粒子,下列说法正确的是()A、无论是P型还是N型半导体,参与导电的都是自由电子和空穴B、P型半导体中只有空穴导电C、N型半导体中只有自由电子参与导电D、在半导体中有自由电子.空穴.离子参与导电

考题 半导体中的离子注入掺杂是把掺杂剂()加速到的需要的(),直接注入到半导体晶片中,并经适当温度的()。

考题 本征半导体中掺入少量三价元素,构成的是P型掺杂半导体,其中多数的载流子是()型;若在本征半导体中掺入少量的()元素,构成的是()型半导体,其中多数载流子是()。

考题 N型半导体中的自由电子多于空穴,而P型半导体中的空穴多于自由电 子,是否N型半导体带负电,而P型半导体带正电?

考题 什么叫掺杂半导体?什么叫N型半导体?什么叫P型半导体?

考题 n型半导体是在Si、Ge等四价元素中掺入少量(),p型半导体是在在四价元素Si、Ge等中掺入少量()在价带附近形成掺杂的能级。

考题 当温度达到一定时,N型半导体全部掺杂原子均离子化时,称为()。

考题 在一块半导体晶片上采取一定的掺杂工艺,使两边分别形成P型和N型半导体,那么在这两种半导体的交界处会形成一层很薄的层,称为()。

考题 在本征半导体中掺入少量三价元素,构成的是()型掺杂半导体,其中多数的载流子是();若在本征半导体中掺入少量的五价元素,构成的是()型半导体,其中多数载流子是()。

考题 下列不属于本征半导体的是()A、纯净半导体B、P型半导体C、杂质半导体D、N型半导体

考题 下列掺杂半导体属于n型半导体的是()A、In掺杂的GeB、As掺入GeC、As掺入SiD、InSb中,Si占据Sb的位置E、GaN中,Mg占据Ga的位置

考题 N型半导体中的自由电子是()形成的。A、掺杂B、能量击发C、掺杂与能量击发

考题 对半导体而言,其正确的说法是()A、P型半导体多数载流子为空穴,所以它带正电B、N型半导体多数载流子为自由电子,所以它带负电C、P型半导体和N型半导体本身都不带电D、在N型半导体中,空穴是多子,自由电子是少子

考题 N型半导体或P型半导体都属于()。

考题 N型半导体中多数载流子是(),P型半导体中多数载流子是()。

考题 在半导体中掺入微量的有用杂质,制成掺杂半导体。掺杂半导体有()。A、W型B、N型有P型C、U型

考题 在半导体中掺人微量的有用杂质,制成掺杂半导体。掺杂半导体有()。A、W型B、N型有P型C、U型D、V型

考题 判断题硼是VA族元素,其掺杂形成的半导体是P型半导体。A 对B 错

考题 填空题本征半导体中掺入少量三价元素,构成的是P型掺杂半导体,其中多数的载流子是()型;若在本征半导体中掺入少量的()元素,构成的是()型半导体,其中多数载流子是()。

考题 填空题在一块半导体晶片上采取一定的掺杂工艺,使两边分别形成P型和N型半导体,那么在这两种半导体的交界处会形成一层很薄的层,称为()。

考题 判断题PIN管是在P型和N型半导体之间夹着一层(相对)很厚的掺杂半导体。A 对B 错

考题 填空题()和()是半导体器件的最常用掺杂方法。()、()是Si常用的施主杂质;()是Si常用的受主杂质;()是GaAs常用的P型掺杂剂;()是GaAs常用的N型掺杂剂。