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对于金属氧化物,下列条件中()能形成n型半导体。

A、掺杂低价金属离子

B、氧缺位

C、引入电负性大的原子

D、高价离子同晶取代

参考答案

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考题 填空题电负性（）的活泼非金属元素的原子与电负性（）的活泼金属元素的原子通过（）得失形成（）。
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考题 单选题有关氯离子腐蚀，下列说法错误的是：（）A 氯离子容易穿透金属表面氧化层进入金属内部，破坏金属的钝态。B 氯离子容易被吸附在金属表面，取代保护金属的氧化层中的氧，使金属受到破坏。C 大多数金属，在含氯离子的溶液中是通过氢去极化而腐蚀的，所以在氯离子浓度高的时候，容易产生腐蚀。D 氯离子的电负性质高，离子半径相对较小，使得其对金属的腐蚀很容易发生。
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考题 判断题金属原子与氧原子的电负性相差越大，离子键分数越大，氧化物离解为简单离子的趋势也越大。A 对B 错
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