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填空题
现代主流的集成电路加工技术为CMOS工艺，即最基本的器件是由（）和NMOS组成。

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考题 目前集成电路中的主流产品采用CMOS工艺,请问CMOS的汉语全称是什么?
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考题 由下列器件构成的模拟开关中，导通电阻最低的是( )。A．CMOS场效应管B．PMOS场效应管C．NMOS场效应管D．二簧继电器
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考题 下列器件属于CMOS集成电路的是（）。A、CD4511B、CD4017C、74LS373D、74HC373
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考题 按制造工艺集成电路分为（）。A、半导体集成电路B、TTL集成电路C、厚膜集成电路D、薄膜集成电路E、CMOS集成电路
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考题 由（）组成的集成电路简称CMOS电路。A、金属B、氧化物C、半导体场效应管D、磁性物
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考题 MOS集成电路按其形式有NMOS和PMOS两种。
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考题 集成电路的设计的主流是（）A、SOC（片上系统）B、分立器件C、电路结构简化D、手工设计
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考题 TTL集成电路和CMOS集成电路对输入端的空脚处理是（）。A、CMOS允许悬空B、TTL不允许悬空C、TTL允许悬空D、CMOS不允许悬空
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考题 微电子技术就是使电子元器件及由它组成的电子设备微型化的技术，其核心是（）。A、集成电路技术B、晶体管数量C、生产工艺D、晶体纯度
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考题 单极型集成电路可分为（）几种。A、TTL型B、TDK型C、PMOS型D、NMOS型E、CMOS型
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考题 单极性集成电路包括（）A、TTL集成电路B、PMOS集成电路C、NMOS集成电路D、CMOS集成电路
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考题 门级组合电路是指的电路（）。A、由二、三极管开关组成B、由各种门电路组成且无反馈线C、由组合器件组成D、由各种数字集成电路组成
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考题 下列说法错误的是（）。 A、双极型数字集成门电路是以场效应管为基本器件构成的集成电路B、TTL逻辑门电路是以晶体管为基本器件构成的集成电路C、CMOS集成门电路集成度高，但功耗较高D、CMOS集成门电路集成度高，但功耗较低E、TTL集成门电路集成度高，但功耗较低
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考题 与TTL集成电路相比，CMOS集成电路（）。A、功耗更大B、材料不同C、工艺相同D、以上都不正确
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考题 填空题对于CMOS集成电路，通常器件间的电性绝缘采用介质绝缘的方式，如LOCOS（）或STI（）
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考题 单选题下面的叙述中错误的是（）A 现代信息技术的主要特征是采用电子技术进行信息的收集、传递、加工、存储、显示和控制B 现代集成电路使用的半导体材料主要是硅C 集成电路的工作速度主要取决于组成逻辑门电路的晶体管数量D 当集成电路的基本线宽小到纳米级时，将出现一些新的现象和效应
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考题 问答题具体描述CMOS集成电路的工艺流程是怎样的？
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考题 填空题半导体器件隔离的种类有：（）；（）和（）三种。P-N结隔离适合（）的器件。目前大多数CMOS器件采用（）隔离，绝缘介质场区氧化层采用（）工艺生长。
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考题 判断题对于N型衬底的单井CMOS工艺，NMOS的衬底应该接到高电位上。A 对B 错
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考题 判断题Bi-CMOS工艺就是用标准的Bipolar工艺来制造MOS器件。A 对B 错
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考题 问答题简述3.0μm CMOS集成电路工艺技术工艺流程。
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考题 单选题现代集成电路制造工艺中，主流掺杂技术为（）A 扩散B 化学机械抛光C 刻蚀D 离子注入
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考题 单选题关于逻辑门电路下列说法正确的是（　　）。A 双极型数字集成门电路是以场效应管为基本器件构成的集成电路B TTL逻辑门电路是以晶体管为基本器件构成的集成电路C CMOS集成门电路集成度高，但功耗较高D TTL逻辑门电路和CMOS集成门电路不能混合使用
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考题 填空题半导体集成电路是采用半导体工艺技术，在硅基片上制作包括电阻、电容、（）、晶体管等元器件并具有某种电路功能的集成电路。
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考题 判断题双极型集成电路工艺是用来制造CMOS集成电路。A 对B 错
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考题 判断题在现代集成电路加工技术中，主流的掺杂技术是扩散掺杂。A 对B 错
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考题 问答题集成电路制造工艺中，主要有哪两种隔离工艺？目前的主流深亚微米隔离工艺是哪种器件隔离工艺，为什么？
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