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MOS集成电路按其形式有NMOS和PMOS两种。

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考题 MOS器件的基本结构有N沟道和P沟道两种,也就有NMOS和PMOS逻辑门电路两种。() 此题为判断题(对，错)。
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考题 场效应管中参与导电的载流子,只能是电子或空穴中的一种,NMOS管的载流子是(),PMOS管的载流子是()。
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考题 To design a CMOS invertor with balance rise and fall time,please define the ration of channel width of PMOS and NMOS and explain?
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考题 什么是NMOS、PMOS、CMOS？什么是增强型、耗尽型？什么是PNP、NPN？他们有什么差别？（仕兰微面试题目）
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考题 在MOS逻辑电路中，由PMOS管组成的与非门电路叫做（）。A、互补MOS与非门电路B、CMOS与非门电路
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考题 在MOS门电路中，欲使NMOS管导通可靠，栅极所加电压应小于开启电压UTN。（）
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考题 塔式起重机的类型很多，按有无行走机构分为 （） 和 （） 两种；按其固转达形式分为 （） 和 （） 两种；按其变幅方式分为（）  和 （） 两种；按其安装形式分为 （） 、 （） 和（）  三种。
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考题 集成电路按功能分类可分为：模拟集成电路和（）两种。
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考题 采用了（）门电路后，其比PMOS和NMOS门电路的功耗更低，速度更快。
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考题 按导电类型集成电路可分（）。A、PMOS型B、双极和单极二者兼容型C、CMOS型D、双极型E、单极型
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考题 单极型集成电路可分为（）几种。A、TTL型B、TDK型C、PMOS型D、NMOS型E、CMOS型
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考题 单极性集成电路包括（）A、TTL集成电路B、PMOS集成电路C、NMOS集成电路D、CMOS集成电路
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考题 MOS管是用（）、（）和（）材料制成的。按沟道类型分有（）和（）两类，其每一类又可分（）为和（）两种。
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考题 当UGS＝0时，（）管不可能工作在恒流区。A、JFETB、增强型MOS管C、耗尽型MOS管D、NMOS管
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考题 下列场效应管中，无原始导电沟道的为（）。A、N沟道JFETB、增强~AIPMOS管C、耗尽型NMOS管D、耗尽型PMOS管
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考题 下列电路属于单极型器件集成的应是（）.A、TTL集成电路B、HTL集成电路C、MOS集成电路
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考题 填空题现代主流的集成电路加工技术为CMOS工艺，即最基本的器件是由（）和NMOS组成。
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考题 填空题MOS场效应晶体管的开启电压指的是：（）。所以，NMOS管的开启电压为（），PMOS管的开启电压为（）。
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考题 问答题双极性集成电路中最常用的电阻器和MOS集成电路中常用的电阻都有哪些？
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考题 问答题为什么在相同工艺条件和相同几何尺寸下NMOS管速度要高于PMOS管？如果相同栅长的N管和P管要达到相同的速度，理论上N管和P管要满足什么条件？
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考题 问答题NMOS和PMOS的源漏如何形成的？
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考题 问答题为什么NMOS工艺优于PMOS工艺？
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考题 问答题同宽长比的PMOS和NMOS谁的阈值要大一些？
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考题 填空题MOS型集成电路又分为NMOS、PMOS、（）型。
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考题 单选题在MOS逻辑电路中，由PMOS管组成的与非门电路叫做（）。A 互补MOS与非门电路B CMOS与非门电路
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考题 问答题按MOS沟道随栅压正向和负向增加而形成或消失的机理，存在着哪两种类型的MOS器件？
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考题 问答题在双极集成电路和MOS集成电路工艺中，为什么都要用外延层？
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