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关于BJT的结构特点说法错误的是()。

A、基区很薄且掺杂浓度很低

B、发射区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度

C、基区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度

D、集电区面积大于发射区面积


参考答案

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考题 1、晶体管分为三个掺杂区,发射区的特点是掺杂浓度    ,基区的特点是区域很薄,掺杂浓度    ,集电区的特点是掺杂浓度较低,但面积大。A.高;低B.高;高C.低;低D.低;高

考题 晶体管结构特点是:发射区重掺杂, 基区轻掺杂且很薄, 集电区面积大。

考题 关于BJT的结构特点,以下说法错误的是()A.基区很薄,掺杂浓度很低B.发射区的掺杂浓度远大于集电区C.基区的掺杂浓度远大于集电区D.集电区面积大于发射区面积

考题 【单选题】关于三极管的结构特点,以下说法不正确的为(B )A.基区很薄B.基区掺杂浓度最高C.发射区掺杂浓度最高D.发射结的结面积小于集电结的结面积

考题 制造晶体管时要求发射区的掺杂浓度远大于基区的掺杂浓度。

考题 11、为保证放大模式的应用,BJT在工艺制造中需满足()。A.发射区掺杂浓度最高B.基区宽度极薄C.集电结面积远远大于发射结面积D.发射区和集电区掺杂浓度一样E.基区足够宽F.集电结面积和发射结面积一样大

考题 下列关于BJT构造的说法中,错误的有()。A.发射区的掺杂浓度最高B.集电区的掺杂浓度最高C.发射结的面积最大D.集电区的类型与其他区不同E.集电结的面积最大F.基区的类型与其他两个区域类型不同G.基区最薄

考题 15、制造晶体管时要求发射区的掺杂浓度远大于基区的掺杂浓度。

考题 4、关于BJT的结构特点,以下说法错误的是()A.基区很薄,掺杂浓度很低B.发射区的掺杂浓度远大于集电区C.基区的掺杂浓度远大于集电区D.集电区面积大于发射区面积