考题
杂质半导体中的多数载流子浓度取决于()
A、掺杂浓度B、工艺C、温度D、晶体缺陷
考题
半导体工艺中，掺杂有哪几种方式？（仕兰微面试题目）
考题
陶瓷造型的构成因素主要包括：（）。A、功能效用B、工艺材料和工艺技术C、艺术处理D、以上都对
考题
半导体主要特性（）A、光敏B、热敏C、掺杂D、电阻
考题
工艺技术管理包括工艺技术、工艺管理、工艺装备、工艺材料和（）五个方面。A、工艺数量B、人员素质C、人员数量D、工艺水平
考题
半导体中的离子注入掺杂是把掺杂剂（）加速到的需要的（），直接注入到半导体晶片中，并经适当温度的（）。
考题
工艺技术文件是用于指导生产的主要技术文件，有称工艺技术标准。
考题
什么叫掺杂半导体？什么叫N型半导体？什么叫P型半导体？
考题
掺杂半导体中影响电子电导率的主要因素是（）、（）、和（）。
考题
在一块半导体晶片上采取一定的掺杂工艺，使两边分别形成P型和N型半导体，那么在这两种半导体的交界处会形成一层很薄的层，称为（）。
考题
本征半导体（纯半导体）的Eg小于掺杂质半导体
考题
杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（）。A、温度B、掺杂工艺C、掺杂浓度D、晶格缺陷
考题
在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（）A、温度B、掺杂工艺C、杂质浓度D、晶体管缺陷
考题
在杂质半导体中，少数载流子的浓度取决于（）A、温度B、掺杂元素C、掺杂浓度D、掺杂工艺
考题
在杂质半导体中，多数载流子的浓度取决于（）。A、晶体缺陷B、温度C、杂质浓度D、掺杂工艺
考题
在半导体中掺入微量的有用杂质，制成掺杂半导体。掺杂半导体有（）。A、W型B、N型有P型C、U型
考题
在半导体中掺人微量的有用杂质，制成掺杂半导体。掺杂半导体有（）。A、W型B、N型有P型C、U型D、V型
考题
单选题微传感器的加工工艺不包括（）。A
光刻技术B
HARQ技术C
半导体掺杂技术D
LIGA技术
考题
填空题在一块半导体晶片上采取一定的掺杂工艺，使两边分别形成P型和N型半导体，那么在这两种半导体的交界处会形成一层很薄的层，称为（）。
考题
填空题半导体集成电路是采用半导体工艺技术，在硅基片上制作包括电阻、电容、（）、晶体管等元器件并具有某种电路功能的集成电路。
