考题
半导体有哪些主要特性()。
A.光敏特性B.热敏特性C.掺杂特性D.导通特性
考题
影响放大电路高频特性的主要因素是()。A、耦合电容和旁路电容的存在B、半导体极间电容和分布电容的存在C、半导体的非线性特性D、放大电路的静态工作点不合适
考题
半导体二极管的特性主要是单向导电性。()
此题为判断题(对，错)。
考题
半导体PN结是构成各种半导体器件的工作基础，其主要特性是______。A.具有放大特性B.具有单向导电性C.具有改变电压特性D.具有增强内电场特性
考题
半导体管图示仪对半导体器件进行测量的同时,在示波管屏幕上可显示出各种半导体器件的()。
A.性能参数B.转移特性C.内部性能D.特性曲线
考题
132）半导体具有热敏特性、电敏特性和掺杂特性，利用这些特性可以制成各种不同用途的半导体器件。（ ）
考题
半导体PN结的主要物理特性是（）。A放大特性B单向导电性C变压特性D逆变特性
考题
半导体管图示仪对半导体器件进行测量时的同时，在示波管屏幕上可显示出各种半导体的（）A、性能参数B、转移特性C、内部性能D、特性曲线
考题
整流电路主要是利用（）实现的。A、半导体器件的单向导电性B、半导体器件的电容效应C、半导体器件的击穿特性D、半导体器件的温度敏感性
考题
半导体二极管有3个特性，它们是正向特性，反向特性，反向击穿特性
考题
利用半导体的独特性能，可以制成半导体（）、（）、（）与（）。
考题
半导体二极管最主要的特性是（）的特性。A、双向导电B、不导电C、单向导电D、导电良好
考题
整流所用的半导体器件特性是（）。A、放大特性B、反向击穿C、单向导电D、饱和特性
考题
半导体具有以下特征：（）。A、热敏特性B、光敏特性C、掺杂特性D、绝缘特性
考题
半导体有三个主要特性：（1）（）特性，（2）（）特性，（3）（）特性。
考题
影响放大电路高频特性的主要因素是（）A、耦合电容和旁路电容的存在B、放大电路的静态工作点不合适C、半导体管的非线性特性D、半导体管极间电容和分布电容的存在
考题
半导体管图示仪在对半导体器件进行测量的同时，在示波管屏幕上可显示出各种半导体器件的（）。A、性能参数B、转移特性C、内部性能D、特性曲线
考题
半导体有三个主要特性：（）热敏特性、掺杂特性。
考题
单选题半导体PN结是构成各种半导体器件的工作基础，其主要的特性是（）。A
具有单向导电性B
具有放大性C
具有改变电压特性D
以上都不对
考题
单选题PN结是构成各种半导体器件的基础，其主要特性是（）。A
具有放大特性B
具有单向导电性C
具有改变电压特性D
具有增强内电场特性
考题
单选题半导体PN结的主要物理特性是（）。A
放大特性B
单向导电性C
变压特性D
逆变特性
