考题
可控硅是具有()个PN结的四层半导体器件。
A、三B、四C、五
考题
下列各项中,( )是本征半导体。
A、N型半导体;B、P型半导体;C、PN结D、纯净的半导体。
考题
晶体管是由两个PN结构成的一种半导体器件,其中一个PN结叫做(),另一个叫做()。
考题
半导体PN结是构成各种半导体器件的工作基础，其主要特性是______。A.具有放大特性B.具有单向导电性C.具有改变电压特性D.具有增强内电场特性
考题
发光二极管是一种将电能转变成光能的半导体器件,是由()组成。
A.2个PN结B.3个PN结C.1个PN结D.4个PN结
考题
132）半导体具有热敏特性、电敏特性和掺杂特性，利用这些特性可以制成各种不同用途的半导体器件。（ ）
考题
半导体PN结的主要物理特性是（）。A放大特性B单向导电性C变压特性D逆变特性
考题
半导体稳压管的稳压功能是利用PN结的反向击穿特性特性来实现的。
考题
（）都不能单独构成半导体器件，PN结才是构成半导体器件的基本单元。A、本征半导体B、P型半导体C、N型半导体D、NPN型半导体
考题
半导体管图示仪对半导体器件进行测量的同时，在示波管屏幕上可显示出各种半导体器件的（）。A、性能参数B、转移特性C、内部性能D、特性曲线
考题
三极管是由3个PN结构成的一种半导体器件。（）
考题
半导体稳压性质是利用下列什么特性实现的（）。A、PN结的单向导电性B、PN结的反向击穿特性C、PN结的正向导通特性D、PN结的反向截止特性
考题
关导体PN结是构成各种关导体器件的工作基础，其主要特性是（）A、具有放大特性B、具有改变电压特性C、具有单向导电性D、具有增强内电场性
考题
在本征半导体中掺入杂质的目的是（）。A、提高半导体的导电能力B、降低半导体的导电能力C、制造出合乎要求的半导体材料，用来生产半导体器件D、产生PN结
考题
半导体三极管是具有（）PN结的器件。A、1个B、2个C、3个D、4个
考题
晶体二极管是最简单的半导体器件，它是由（）组成。A、PN结B、电子C、空穴D、原子
考题
构成各种半导体器件的基础是PN结，它具有单向导电和反向击穿特性。
考题
构成各种半导体器件的基础是PN结，它具有（）和（）特性。
考题
半导体管图示仪在对半导体器件进行测量的同时，在示波管屏幕上可显示出各种半导体器件的（）。A、性能参数B、转移特性C、内部性能D、特性曲线
考题
半导体稳压管的稳压作用是利用（）A、PN结单向导电性实现的B、PN结的反向击穿特性实现的C、PN结的正向导通特性实现的D、PN结的反向截止特性实现的
考题
半导体二级管是用一个PN结制成的半导体器件，它的最基本性质是双向导电性。
考题
二极管是由（）、电极引线以及外壳封装构成的。A、一个PN结B、P型半导体C、N型半导体D、本征半导体
考题
晶闸管是具有3个PN结、（）极的硅半导体器件。A、放大B、阴C、阳D、控制
考题
单选题PN结是构成各种半导体器件的基础，其主要特性是（）。A
具有放大特性B
具有单向导电性C
具有改变电压特性D
具有增强内电场特性
考题
填空题半导体色敏器件是一个双结光电二极管，由两个（）不同的PN结构成。
考题
单选题关导体PN结是构成各种关导体器件的工作基础，其主要特性是（）A
具有放大特性B
具有改变电压特性C
具有单向导电性D
具有增强内电场性
