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填空题
SiO2-Si界面的杂质分凝：（）过程中，（）在两种材料中重新分布，（）吸引受主杂质（B）、排斥施主杂质（P、As）。

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考题 在自然界中分布较广泛，在多种药物的生产和贮藏过程中容易引入的杂质称为（ ）A.特殊杂质B.一般杂质C.基本杂质D.有关杂质E.有关物质
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考题 杂质限量指A、药物纯净程度B、在个别药物生产和贮存过程中引入的杂质C、药物中所含杂质的最大允许量D、自然界中存在较广泛在多种药物的生产和贮藏过程中容易引入的杂质E、杂质本身一般无害但其含量多少可以反映出药物纯度水平
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考题 特殊杂质A、药物纯净程度B、在个别药物生产和贮存过程中引入的杂质C、药物中所含杂质的最大允许量D、自然界中存在较广泛在多种药物的生产和贮藏过程中容易引入的杂质E、杂质本身一般无害但其含量多少可以反映出药物纯度水平
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考题 在自然界中分布较广泛,在多种药物的生产和贮藏过程中容易引入的杂质称为 A、特殊杂质B、一般杂质C、基本杂质D、有害杂质E、有关物质
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考题 在个别药物生产和储存过程中引入的杂质是指A.药物纯度B.特殊杂质C.杂质限量D.一般杂质E.信号杂质
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考题 自然界中存在较广泛在多种药物的生产和储藏过程中容易引入的杂质是指A.药物纯度B.特殊杂质C.杂质限量D.一般杂质E.信号杂质
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考题 在个别药物生产和贮存过程中引入的杂质A.药物纯度B.特殊杂质C.杂质限量D.一般杂质E.信号杂质
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考题 自然界中存在较广泛且在多种药物生产和贮藏过程中容易引入的杂质是A.药物纯度B.特殊杂质C.杂质限量D.一般杂质E.信号杂质
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考题 下列不是补锡助焊剂功能的是（）。A、去除母材表面的杂质B、去除焊料的杂质C、增加焊料对母材的湿润性D、冷却母材表面避免温度过高
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考题 表示杂质在硅-二氧化硅界面处重新分布的性质和程度，习惯上常用（）。A、分凝度B、固溶度C、分凝系数D、扩散系数
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考题 PN结空间电荷区是（）。A、电子和空穴构成；B、正电荷和负电荷构成；C、施主离子；D、施主杂质原子和受主杂质原子构成。
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考题 下列扩散杂质源中，（）不仅是硅常用的施主杂质，也是锗常用的施主杂质。A、硼B、锡C、锑D、磷E、砷
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考题 当母材比焊接材料中含有较多的杂质元素（如S、P等到）时，熔合比越大，焊缝金属的塑性和韧性越好。
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考题 对于同时存在一种施主杂质和一种受主杂质的均匀掺杂的非简并半导体，在温度足够高、ni/ND-NA/时，半导体具有（）半导体的导电特性。A、非本征B、本征
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考题 扩散工艺使杂质由半导体晶片表面向内部扩散，改变了晶片（），所以晶片才能被人们所使用。A、内部的杂质分布B、表面的杂质分布C、整个晶体的杂质分布D、内部的导电类型E、表面的导电类型
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考题 影响单晶内杂质数量及分布的主要因素是（）①原材料中杂质的种类和含量；②杂质的分凝效应；③杂质的蒸发效应；④生长过程中坩埚或系统内杂质的沾污；⑤加入杂质量；A、①②④B、②④⑤C、①②④⑤D、①②③④⑤
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考题 单选题影响单晶内杂质数量及分布的主要因素是（）①原材料中杂质的种类和含量；②杂质的分凝效应；③杂质的蒸发效应；④生长过程中坩埚或系统内杂质的沾污；⑤加入杂质量；A ①②④B ②④⑤C ①②④⑤D ①②③④⑤
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考题 单选题如果杂质既有施主的作用又有受主的作用，则这种杂质称为（）。A 施主B 受主C 复合中心D 两性杂质
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考题 问答题施主杂质和受主杂质的含义是什么？
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考题 单选题对于同时存在一种施主杂质和一种受主杂质的均匀掺杂的非简并半导体，在温度足够高、ni/ND-NA/时，半导体具有（）半导体的导电特性。A 非本征B 本征
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考题 单选题施主杂质和受主杂质之间有相互抵消作用，通常称为（）A 杂质电离B 杂质补偿C 载流子复合D 载流子迁移
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考题 问答题若P型硅中掺入受主杂质，EF是升高还是降低？若n型硅中掺入受主杂质，EF是升高还是降低？
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考题 问答题什么是施主杂质能级？什么是受主杂质能级？它们有何异同？
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考题 填空题（）和（）是半导体器件的最常用掺杂方法。（）、（）是Si常用的施主杂质；（）是Si常用的受主杂质；（）是GaAs常用的P型掺杂剂；（）是GaAs常用的N型掺杂剂。
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考题 单选题掺有杂质的半导体在光照下，中性施主的束缚电子可以吸收光子而跃迁到导带，同样，中性受主的束缚空穴可以吸收光子而跃迁到价带，这种吸收称为（）A 本征吸收B 杂质吸收C 激子吸收D 晶格吸收
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考题 问答题举例说明什么是受主杂质，什么是p型半导体？
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考题 单选题下列不是补锡助焊剂功能的是（）。A 去除母材表面的杂质B 去除焊料的杂质C 增加焊料对母材的湿润性D 冷却母材表面避免温度过高
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