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扩散工艺使杂质由半导体晶片表面向内部扩散,改变了晶片(),所以晶片才能被人们所使用。

  • A、内部的杂质分布
  • B、表面的杂质分布
  • C、整个晶体的杂质分布
  • D、内部的导电类型
  • E、表面的导电类型

参考答案

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考题 水的导电性能与水的密度、射流形式等有关。下列说法正确的是()。(A)杂质越少,直流射流,导电性能越大(B)杂质越少,开花射流,导电性能越大(C)杂质越多,直流射流,导电性能越大(D)杂质越多,开花射流,导电性能越大

考题 恒定表面源扩散的杂质分布在数学上称为什么分布?()A、高斯函数B、余误差函数C、指数函数D、线性函数

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考题 在扩散之前在硅表面先沉积一层杂质,在整个过程中这层杂质作为扩散的杂质源,不再有新的杂质补充,这种扩散方式称为:()

考题 硅晶片上之所以可以产生薄膜,出始于布满在晶片表面的许多气体分子或其它粒子,它们主要是通过()到达晶片表面的。A、粒子的扩散B、化学反应C、从气体源通过强迫性的对流传送D、被表面吸附

考题 钢坯内部化学成份和杂质分布不均匀的现象叫“偏析”。

考题 绝缘材料中的杂质会使电阻率下降,这是因为()A、在电介质内部减少了导电离子B、在电介质内部增加了导电离子C、杂质使材料容易吸湿D、使电介质内部产生气泡

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考题 钢锭的偏析就是钢锭内部各部分化学成份和杂质分布不均匀的现象。

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考题 杂质半导体有哪些?与本征半导体相比导电性有什么不同?

考题 扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的,即杂质浓度大,扩散电流大;杂质浓度小,扩散电流小。

考题 填空题杂质原子(或离子)在半导体晶片中的扩散机构比较复杂,但主要可分为两种机构:替位式扩散和()式扩散。

考题 问答题影响扩散工艺中杂质分布的因素

考题 判断题扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的,即杂质浓度大,扩散电流大;杂质浓度小,扩散电流小。A 对B 错

考题 单选题水的导电性能与水的密度、射流形式等有关。下列说法正确的是( )。A 杂质越少,直流射流,导电性能越大B 杂质越少,开花射流,导电性能越大C 杂质越多,直流射流,导电性能越大D 杂质越多,开花射流,导电性能越大

考题 填空题SiO2-Si界面的杂质分凝:()过程中,()在两种材料中重新分布,()吸引受主杂质(B)、排斥施主杂质(P、As)。

考题 判断题有限表面源扩散与离子注入的杂质分布都满足高斯函数,两种掺杂工艺杂质最高浓度位置都在硅片表面。A 对B 错

考题 填空题有限表面源扩散的杂质分布服从()分布。

考题 填空题扩散的目的是为了实现对半导体掺杂,杂质扩散的深度与()有关,服从()。杂质扩散通常分为等表面浓度扩散,也(),和固定杂质总量扩散,也称()。预淀积的分布是()函数,再分布扩散的杂质呈()函数分布。

考题 单选题绝缘材料中的杂质会使电阻率下降,这是因为()A 在电介质内部减少了导电离子B 在电介质内部增加了导电离子C 杂质使材料容易吸湿D 使电介质内部产生气泡

考题 判断题在晶片制造中,有两种方法可以向硅片中引入杂质元素,即热扩散和离子注入。A 对B 错

考题 填空题常规平面工艺扩散工序中的恒定表面源扩散过程中,杂质在体内满足()函数分布。常规平面工艺扩散工序中的有限表面源扩散过程中,杂质在体内满足()函数分布。