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恒定表面源扩散的杂质分布在数学上称为（）分布。

  • A、高斯
  • B、余误差
  • C、指数

参考答案

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考题 有限次测量结果的偶然误差是服从() A、正态分布B、t分布C、高斯分布D、泊松分布
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考题 高斯白噪声通过窄带理想带通滤波器后为窄带高斯噪声,后者包络的一维分布为( )。 A.高斯分布B.莱斯分布C.瑞利分布D.均匀分布。
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考题 高斯白噪声通过线性系统输出分布为（）。A.高斯分布 B.瑞利分布 C.广义瑞利分布 D.均匀分布
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考题 下面那个判断不符合高斯扩散条件?( )A、x轴为正向平均风向，污染物浓度在y、z轴上的分布符合高斯分布 B、地面是足够粗糙的 C、源强是连续、均匀的 D、扩散过程中污染物的质量是守恒的
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考题 误差理论认为，偶然误差的分布服从统计学上的均匀分布。
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考题 热退火用于消除离子注入造成的损伤，温度要低于杂质热扩散的温度，然而，杂质纵向分布仍会出现高斯展宽与拖尾现象，解释其原因。
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考题 在扩散之前在硅表面先沉积一层杂质，在整个过程中这层杂质作为扩散的杂质源，不再有新的杂质补充，这种扩散方式称为：（）
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考题 在线性回归模型中，随机误差μ被假定服从（）A、正态分布B、二项分布C、指数分布D、t分布
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考题 偶然误差的分布特性，在数学上可用一个称之为（）。
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考题 根据流量与悬沙测验的误差研究情况，认为源误差和目标函数误差系列符合高斯正态分布规律，可用高斯（）描述。A、偏态分布B、学生氏分布C、正态分布D、多峰分布
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考题 扩散工艺使杂质由半导体晶片表面向内部扩散，改变了晶片（），所以晶片才能被人们所使用。A、内部的杂质分布B、表面的杂质分布C、整个晶体的杂质分布D、内部的导电类型E、表面的导电类型
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考题 恒定表面浓度的条件下，在整个扩散期间，（）保持恒定表面浓度。A、源蒸气B、杂质和惰性气体混合物C、水蒸气和杂志混合物D、杂质、惰性气体、水蒸气混合物
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考题 放射性样品的计数有一定的分布规律。当平均计数大于20时，下列何种分布适用（）A、均匀分布B、指数分布C、对数分布D、t分布E、高斯分布
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考题 问答题影响扩散工艺中杂质分布的因素
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考题 单选题根据流量与悬沙测验的误差研究情况，认为源误差和目标函数误差系列符合高斯正态分布规律，可用高斯（）描述。A 偏态分布B 学生氏分布C 正态分布D 多峰分布
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考题 判断题误差理论认为，偶然误差的分布服从统计学上的均匀分布。A 对B 错
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考题 单选题放射性样品的计数有一定的分布规律。当平均计数大于20时，下列何种分布适用（）。A 均匀分布B 指数分布C 对数分布D t分布E 高斯分布
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考题 单选题下列关于无限空间高斯点源模型假设错误的是（）A 风速均衡且大于1m/sB 源强连续均匀C 质量守恒D 污染物在风向上呈高斯分布，其他方向按线性分布
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考题 名词解释题恒定表面源扩散
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考题 多选题下列关于高斯烟羽模型的假设说法正确的是（）A在整个的扩散空间中，风速是均匀变化的B污染物的浓度在y，z轴上都是正态高斯分布C在扩散过程中污染物的质量是变化的D污染源的源强是连续的、均匀的
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考题 判断题有限表面源扩散与离子注入的杂质分布都满足高斯函数，两种掺杂工艺杂质最高浓度位置都在硅片表面。A 对B 错
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考题 判断题预淀积扩散是为了提供足够的杂质总量，而再分布扩散是为了达到需要的扩散深度并同时在硅的表面获得一定厚度的氧化层。A 对B 错
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考题 填空题有限表面源扩散的杂质分布服从（）分布。
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考题 填空题扩散的目的是为了实现对半导体掺杂，杂质扩散的深度与（）有关，服从（）。杂质扩散通常分为等表面浓度扩散，也（），和固定杂质总量扩散，也称（）。预淀积的分布是（）函数，再分布扩散的杂质呈（）函数分布。
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考题 填空题常规平面工艺扩散工序中的恒定表面源扩散过程中，杂质在体内满足（）函数分布。常规平面工艺扩散工序中的有限表面源扩散过程中，杂质在体内满足（）函数分布。
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