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填空题
有限表面源扩散的杂质分布服从()分布。

参考答案

参考解析
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考题 有限次测量结果的偶然误差是服从() A、正态分布B、t分布C、高斯分布D、泊松分布

考题 下面几个关于样本均值分布的陈述中,正确的是( )。 Ⅰ.当总体服从正态分布时,样本均值一定服从正态分布 Ⅱ.当总体服从正态分布时,只要样本容量足够大,样本均值就服从正态分布 Ⅲ.当总体不服从正态分布时,样本均值一定服从正态分布 Ⅳ.当总体不服从正态分布时,无论样本容量多大,样本均值都不会近似服从正态分布 Ⅴ.当总体不服从正态分布时,在小样本情况下,样本均值不服从正态分布 A、Ⅰ.Ⅴ B、Ⅰ.Ⅱ.Ⅲ.Ⅳ C、Ⅰ.Ⅱ.Ⅳ D、Ⅱ.Ⅲ.Ⅳ

考题 如果总体服从正态分布,则样本均值的抽样分布也服从正态分布;如果总体不服从正态分布,则大样本情况下均值的抽样分布仍然服从正态分布。()A对B错

考题 恒定表面源扩散的杂质分布在数学上称为什么分布?()A、高斯函数B、余误差函数C、指数函数D、线性函数

考题 恒定表面源扩散的杂质分布在数学上称为()分布。A、高斯B、余误差C、指数

考题 以P2O5为例,多晶硅中杂质扩散的方式及分布情况。

考题 在扩散之前在硅表面先沉积一层杂质,在整个过程中这层杂质作为扩散的杂质源,不再有新的杂质补充,这种扩散方式称为:()

考题 如果总体服从正态分布,则样本均值也服从正态分布;如果总体不服从正态分布,则样本均值也不服从正态分布。()

考题 假设总体服从均匀分布,从此总体中抽取容量为40的样本均值的抽样分布()。A、服从均匀分布B、近似服从正态分布C、不可能服从正态分布D、无法确定

考题 对于服从任意分布的总体,样本均值的抽样分布()。A、对任意的样本容量都可能服从正态分布B、样本容量很大时可能服从正态分布C、对任意的样本容量都服从正态分布D、当样本容量很大是服从正态分布

考题 Y服从Poisson分布,如果Y观察值为40,则可以认为X=Y/10()A、服从Poisson分布但也近似正态分布B、服从Poisson分布C、不能认为近似正态分布D、不服从Poisson分布但近似服从正态分布

考题 如果总体服从正态分布,则样本均值的抽样分布也服从正态分布;如果总体不服从正态分布,则大样本情况下均值的抽样分布仍然服从正态分布。()

考题 扩散工艺使杂质由半导体晶片表面向内部扩散,改变了晶片(),所以晶片才能被人们所使用。A、内部的杂质分布B、表面的杂质分布C、整个晶体的杂质分布D、内部的导电类型E、表面的导电类型

考题 慢衰落的累积概率分布服从对数正态分布,快衰落的累积概率分布服从瑞利分布。

考题 填空题常规平面工艺扩散工序中的恒定表面源扩散过程中,杂质在体内满足()函数分布。常规平面工艺扩散工序中的有限表面源扩散过程中,杂质在体内满足()函数分布。

考题 问答题影响扩散工艺中杂质分布的因素

考题 单选题关于样本率P的分布正确的说法是(  )。A 服从正态分布B 服从χ2分布C 当n足够大,且P和1-P均不太小,P的抽样分布逼近正态分布D 服从t分布E 服从u分布

考题 判断题基区主扩散属于有限表面源扩散。A 对B 错

考题 单选题假设总体服从均匀分布,从此总体中抽取容量为40的样本均值的抽样分布()。A 服从均匀分布B 近似服从正态分布C 不可能服从正态分布D 无法确定

考题 多选题抽样分布中()。A如果总体服从正态分布,则样本均值也服从正态分布B如果总体不服从正态分布,则样本均值也不服从正态分布C在大样本的情况下,即使总体不服从正态分布,样本均值也服从正态分布D如果总体服从正态分布,则样本均值不一定服从正态分布E如果总体不服从正态分布,样本均值不一定不服从正态分布

考题 判断题如果总体服从正态分布,则样本均值的抽样分布也服从正态分布;如果总体不服从正态分布,则大样本情况下均值的抽样分布仍然服从正态分布。()A 对B 错

考题 判断题有限表面源扩散与离子注入的杂质分布都满足高斯函数,两种掺杂工艺杂质最高浓度位置都在硅片表面。A 对B 错

考题 单选题关于样本率P的分布正确的说法是()。A 服从正态分布B 服从χ分布C 当n足够大,且P和1-P均不太小,P的抽样分布逼近正态分布D 服从t分布E 服从u分布

考题 名词解释题有限表面源扩散

考题 判断题预淀积扩散是为了提供足够的杂质总量,而再分布扩散是为了达到需要的扩散深度并同时在硅的表面获得一定厚度的氧化层。A 对B 错

考题 单选题下面几个关于样本均值分布的陈述中,正确的是(  )。Ⅰ.当总体服从正态分布时,样本均值一定服从正态分布Ⅱ.当总体服从正态分布时,只要样本容量足够大,样本均值就服从正态分布Ⅲ.当总体不服从正态分布时,无论样本容量多大,样本均值都不会近似服从正态分布Ⅳ.当总体不服从正态分布时,在小样本情况下,样本均值不服从正态分布A Ⅰ、ⅢB Ⅰ、ⅣC Ⅱ、ⅢD Ⅱ、Ⅳ

考题 填空题扩散的目的是为了实现对半导体掺杂,杂质扩散的深度与()有关,服从()。杂质扩散通常分为等表面浓度扩散,也(),和固定杂质总量扩散,也称()。预淀积的分布是()函数,再分布扩散的杂质呈()函数分布。