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填空题
常规平面工艺扩散工序中的恒定表面源扩散过程中,杂质在体内满足()函数分布。常规平面工艺扩散工序中的有限表面源扩散过程中,杂质在体内满足()函数分布。

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考题 在空位扩散中,如果迁移的空位的原子是杂质原子,扩散称为()。A、填隙扩散B、杂质扩散C、推挤扩散D、自扩散

考题 连续稳态扩散常常用高斯烟羽模型,下面属于高斯烟羽模型基本假设的是()。A、在整个的扩散空间中,风速是均匀不变的B、污染源的源强是连续的、均匀的C、地表面充分平坦D、在扩散过程中污染物的质量是不变的,即烟气到达地面全部反射,不发生沉降和化学反应

考题 在催化裂化反应过程中,原料分子到催化剂内表面的过程,称为()。A、吸附B、脱附C、外扩散D、内扩散

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考题 在催化裂化反应过程中,原料分子由主气流到催化剂表面的过程,称为()。A、吸附B、脱附C、外扩散D、内扩散

考题 在焊接过程中,氢的扩散包括()A、浓度扩散B、相变诱导扩散C、应力诱导扩散D、气体扩散

考题 扩散工艺使杂质由半导体晶片表面向内部扩散,改变了晶片(),所以晶片才能被人们所使用。A、内部的杂质分布B、表面的杂质分布C、整个晶体的杂质分布D、内部的导电类型E、表面的导电类型

考题 恒定表面浓度的条件下,在整个扩散期间,()保持恒定表面浓度。A、源蒸气B、杂质和惰性气体混合物C、水蒸气和杂志混合物D、杂质、惰性气体、水蒸气混合物

考题 干燥过程中,坯体水分由从坯体内部迁移到表面,称为外扩散。

考题 下列过程中,()能使烧结产物强度增大而不产生致密化过程。()A、蒸发-凝聚B、体积扩散C、粘性(塑性)扩散D、表面扩散

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考题 多选题下列过程中,()能使烧结产物强度增大而不产生致密化过程。()A蒸发-凝聚B体积扩散C粘性(塑性)扩散D表面扩散

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考题 填空题扩散的目的是为了实现对半导体掺杂,杂质扩散的深度与()有关,服从()。杂质扩散通常分为等表面浓度扩散,也(),和固定杂质总量扩散,也称()。预淀积的分布是()函数,再分布扩散的杂质呈()函数分布。

考题 判断题干燥过程中,坯体水分由从坯体内部迁移到表面,称为外扩散。A 对B 错