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本征半导体在温度T=OK和无光照时，导电能力与（）很接近.

  • A、金属
  • B、小电阻
  • C、绝缘体
  • D、掺杂半导体

参考答案

更多 “本征半导体在温度T=OK和无光照时，导电能力与（）很接近.A、金属B、小电阻C、绝缘体D、掺杂半导体” 相关考题
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考题 当半导体材料受光照射时,其导电能力会()。
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考题 本征半导体参与导电通常有()种载流子。
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考题 当本征半导体温度升高时,电子和空穴的数目都()。
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考题 纯净的半导体是室温下几乎是不导电的,又称本征半导体。但如果给本征半导体掺入微量杂质、加热提高温度或在光照等物理作用下,半导体的导电能力将大大增强,从而变成导体,这就是半导体的导电特性。() 此题为判断题(对，错)。
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考题 影响半导体导电性能的主要因素是()。 A.压力B.随温度的上升，半导体的电阻率增大C.光照可以使导电能力减弱D.杂质
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考题 半导体的导电能力在不同条件下有很大差别，若（）导电能力会减弱。A、掺杂非金属元素B、增大光照C、降低环境温度D、掺打金属元素
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考题 本征半导体的特点是：导电能力极弱，且随温度变化导电能力有显著变化
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考题 本征半导体的导电能力远不如金属的导电能力好
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考题 半导体的导电能力随外界温度、光照或渗入杂质不同而显著变化。
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考题 为什么n型或p型半导体的本征半导体比本征半导体更易导电？
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考题 对于同时存在一种施主杂质和一种受主杂质的均匀掺杂的非简并半导体，在温度足够高、ni/ND-NA/时，半导体具有（）半导体的导电特性。A、非本征B、本征
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考题 影响半导体导电性能的主要因素是（）。 A、压力B、随温度的上升，半导体的电阻率增大C、光照可以使导电能力减弱D、杂质
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考题 在本征半导体中掺入杂质的目的是（）。A、提高半导体的导电能力B、降低半导体的导电能力C、制造出合乎要求的半导体材料，用来生产半导体器件D、产生PN结
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考题 在本征半导体中，因为有自由电子和空穴两种载流子，所以其导电能力很强。
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考题 当绝对温度零度时，本征半导体的导电能力（）A、相同金属B、相同绝缘体C、相同室温下的半导体D、视制作材料而定
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考题 半导体中有（）和（）两种载流子。本征半导体的导电能力取决于（），杂质半导体的导电能力主要取决于（）
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考题 光照对半导体的导电性能的影响（）。A、很小；B、很大；C、不大；D、无。
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考题 本征半导体与金属导电机理的最大区别在于半导体同时存在二种载流子。
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考题 本征半导体在热力学温度T=0K，且无其它外界影响的情况下，其导电能力与（）一样。A、导体B、绝缘体C、P型半导体D、N型半导体
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考题 单选题对于同时存在一种施主杂质和一种受主杂质的均匀掺杂的非简并半导体，在温度足够高、ni/ND-NA/时，半导体具有（）半导体的导电特性。A 非本征B 本征
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考题 单选题影响半导体导电性能的主要因素是（）。A 压力B 随温度的上升，半导体的电阻率增大C 光照可以使导电能力减弱D 杂质
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考题 单选题下列描述中不属于本征半导体的基本特征是（）。A 温度提高导电能力提高B 有两种载流子C 电阻率很小，接近金属导体D 参杂质后导电能力提高
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考题 单选题半导体的导电能力在不同条件下有很大差别，若（）导电能力会减弱。A 掺杂非金属元素B 增大光照C 降低环境温度D 掺打金属元素
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考题 填空题本征半导体的导电能力很弱，热稳定性很（）。
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