考题
二极管的击穿分两种,分别是()。
A、正向击穿B、反向击穿C、雪崩击穿D、齐纳击穿
考题
二极管的击穿分两种,一种是()击穿,另一种为()击穿。A.雪崩、齐纳B.虚、实C.电压、电流D.PN、NP
考题
二极管因所加过高反向电压而击穿、烧毁的现象称为()。
A、齐纳击穿B、雪崩击穿C、热击穿
考题
由于电力二极管中存在(),使其正向导通通过大电流时,能保持较低的电压降。A、擎住效应B、二次击穿C、雪崩击穿D、电导调制效应
考题
当半导体二极管的反向击穿电压大于6V,主要发生何种击穿现象?()
A.雪崩击穿B.齐纳击穿C.热击穿D.碰撞击穿
考题
雪崩击穿二极管（ABD管）反向偏置时，有哪几种工作模式？（）A、待机B、钳制C、击穿D、短路
考题
在伏安特性曲线上，在规定的脉冲直流电流IT（或IBR）或接近发生雪崩的电流条件下，雪崩击穿二极管（ABD管）两端测得的电压称之为（）。A、限制电压B、最大工作电压C、击穿电压D、残压
考题
二极管的击穿分两种，一种是（）击穿，另一种为（）击穿。A、雪崩、齐纳B、虚、实C、电压、电流D、PN、NP
考题
二极管的齐纳击穿会烧坏PN结，而雪崩击穿不会烧坏PN结。
考题
齐纳击穿时的击穿电压约（）V，当反向击穿电压（）时，为雪崩击穿。齐纳击穿具有电压温度系数，而雪崩击穿具有（）电压温度系数。
考题
当半导体二极管的反向击穿电压小于6V时，主要发生何种击穿（）A、雪崩击穿B、齐纳击穿C、热击穿D、碰撞击穿
考题
填空题PN结的掺杂浓度越高，雪崩击穿电压越（）；结深越浅，雪崩击穿电压就越（）。
考题
判断题齐纳二极管是利用二极管的雪崩击穿机理。A
对B
错
考题
多选题雪崩击穿二极管（ABD管）反向偏置时，有哪几种工作模式？（）A待机B钳制C击穿D短路
考题
判断题雪崩光电二极管的最佳工作点在接近雪崩击穿点附近。A
对B
错
