考题
二极管的击穿分两种,分别是()。
A、正向击穿B、反向击穿C、雪崩击穿D、齐纳击穿
考题
若PN结两侧的杂质浓度高,则形成的PN结反向漏电流大,反向击穿电压高。()
考题
二极管的击穿分两种,一种是()击穿,另一种为()击穿。A.雪崩、齐纳B.虚、实C.电压、电流D.PN、NP
考题
二极管因所加过高反向电压而击穿、烧毁的现象称为()。
A、齐纳击穿B、雪崩击穿C、热击穿
考题
由于电力二极管中存在(),使其正向导通通过大电流时,能保持较低的电压降。A、擎住效应B、二次击穿C、雪崩击穿D、电导调制效应
考题
当半导体二极管的反向击穿电压大于6V,主要发生何种击穿现象?()
A.雪崩击穿B.齐纳击穿C.热击穿D.碰撞击穿
考题
当在PN结上加正向电压时，PN结处于（ ）状态。A.击穿
B.饱和
C.截止
D.导通
考题
固体电介质周围（ ），热击穿的击穿电压就越低A.温度越低，散热条件越差
B.温度越高，散热条件越差
C.温度越低，散热条件越好
D.温度越高，散热条件越好
考题
测定击穿电压时，一般是电极距离越大，则击穿电压（）。A、越高B、越低C、不变D、变化无规律
考题
在伏安特性曲线上，在规定的脉冲直流电流IT（或IBR）或接近发生雪崩的电流条件下，雪崩击穿二极管（ABD管）两端测得的电压称之为（）。A、限制电压B、最大工作电压C、击穿电压D、残压
考题
二极管的击穿分两种，一种是（）击穿，另一种为（）击穿。A、雪崩、齐纳B、虚、实C、电压、电流D、PN、NP
考题
电场的均匀程度对空气间隙的击穿特性有很大影响，电场越均匀，击穿电压（）。A、越高B、越低C、不变
考题
二极管的齐纳击穿会烧坏PN结，而雪崩击穿不会烧坏PN结。
考题
硅稳压二极管工作在反向击穿状态，切断外加电压后，PN结仍处于反向击穿。（）
考题
PN结反向击穿电压的数值增大，小于击穿电压，（）。A、其反向电流增大B、其反向电流减小C、其反向电流基本不变
考题
齐纳击穿时的击穿电压约（）V，当反向击穿电压（）时，为雪崩击穿。齐纳击穿具有电压温度系数，而雪崩击穿具有（）电压温度系数。
考题
当半导体二极管的反向击穿电压小于6V时，主要发生何种击穿（）A、雪崩击穿B、齐纳击穿C、热击穿D、碰撞击穿
考题
填空题PN结的掺杂浓度越高，则势垒区的长度就越（），内建电场的最大值就越（），内建电势Vbi就越（），反向饱和电流I0就越（），势垒电容CT就越（），雪崩击穿电压就越（）。
考题
填空题势垒电容反映的是PN结的（）电荷随外加电压的变化率。PN结的掺杂浓度越高，则势垒电容就越（）；外加反向电压越高，则势垒电容就越（）。
考题
判断题雪崩光电二极管的最佳工作点在接近雪崩击穿点附近。A
对B
错
