由于电力二极管中存在(),使其正向导通通过大电流时,能保持较低的电压降。A、擎住效应B、二次击穿C、雪崩击穿D、电导调制效应

题目内容（请给出正确答案）

由于电力二极管中存在(),使其正向导通通过大电流时,能保持较低的电压降。

A、擎住效应

B、二次击穿

C、雪崩击穿

D、电导调制效应

参考答案

考题电力MOSFET通态电阻具有(),并联使用具有电流自动均衡能力,易于并联。A、电导调制效应B、正的温度系数C、负的温度系数D、擎住效应

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考题下面对电力二极管描述正确的是哪个？A．电力二极管正向导通后，其正向压降为0V。B．电力二极管加反向电压就会被击穿。C．电力二极管的基本原理就是PN结的单向导电性。D．电力二极管加正向电压后其正向压降为0.7V。

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考题 9、03010010稳压二极管的稳压主要是利用二极管的（）特性。A．正向导通时电压变化小而电流变化大B．反向截止时电流极小C．反向击穿时电压变化小而电流变化大D．单向导电性

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考题 8、擎住效应是由于IGBT中寄生的二极管造成的。

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考题下列关于IGBT和电力MOSFET的说法正确的有A．IGBT开关速度高于电力MOSFETB．IGBT是电压驱动型器件C．电力MOSFET存在二次击穿问题D．IGBT具有擎住效应

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考题 3、下面的描述不是电力二极管的特点的是（）A．不可控性和单向导电性B．由于通流能力强，压降很大C．由于PN结的电容效应的存在，开关速度受限D．存在较大反向电流和反向电压过冲

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考题 30、下列关于IGBT和电力MOSFET的说法正确的有A．IGBT开关速度高于电力MOSFETB．IGBT是电压驱动型器件C．电力MOSFET存在二次击穿问题D．IGBT具有擎住效应

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考题下列关于IGBT和电力MOSFET的说法正确的有。A．IGBT是电压驱动型器件B．IGBT具有擎住效应C．IGBT开关速度高于电力MOSFETD．电力MOSFET存在二次击穿问题

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考题 1、下面的描述不是电力二极管的特点的是A．不可控性和单向导电性B．由于通流能力强，压降很大C．由于PN结的电容效应的存在，开关速度受限D．存在较大反向电流和反向电压过冲

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