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下列关于IGBT和电力MOSFET的说法正确的有 。

A.IGBT是电压驱动型器件

B.IGBT具有擎住效应

C.IGBT开关速度高于电力MOSFET

D.电力MOSFET存在二次击穿问题


参考答案和解析
IGBT具有擎住效应;IGBT是电压驱动型器件
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考题 IGBT是ー个复合型的器件,它是()。 A、GTR驱动的MOSFETB、MOSFET驱动的GTRC、MOSFET驱动的晶闸管D、MOSFET驱动的GT0

考题 已获广泛应用的全控型电力电子器件有电力晶体管GTR、可关断晶体管GTO、电力()晶体管MOSFET、绝缘删双极型晶体管IGBT和场控晶闸管MCT等

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考题 IGBT、GTR、GTO和电力MOSFET的驱动电路各有什么特点?

考题 说明IGBT、GTO、GTR、MOSFET的优缺点。

考题 IGBT是一个复合型的器件,它是()。A、GTR驱动的MOSFETB、MOSFET驱动的GTRC、MOSFET驱动的晶闸管D、MOSFET驱动的GTO

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考题 电力MOSFET和IGBT属于()(电压,电流)驱动型器件。属于电流型驱动的器件有()、()、()等。

考题 问答题IGBT、GTR、GTO和电力MOSFET的驱动电路各有什么特点?

考题 问答题简述IGBT和功率MOSFET对驱动电路的要求。

考题 填空题电力晶体管GTR;可关断晶闸管();功率场效应晶体管MOSFET;绝缘栅双极型晶体管IGBT;IGBT是MOSFET和GTR的复合管。

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考题 填空题IGBT 的开启电压UGE(th)随温度升高而(),开关速度()电力MOSFET 。

考题 填空题电力MOSFET和IGBT属于()(电压,电流)驱动型器件。属于电流型驱动的器件有()、()、()等。

考题 问答题简要说明全控型电力电子器件GTO、GTR、MOSFET和IGBT各自的优缺点。