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问答题
试解释Power MOSFET的开关频率高于GTR、IGBT、GTO。

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考题 SCR、GTR、GTO、VMOSFET和IGBT几种常用电力电子器件中,按开关频率从低到高依次排列的顺序为()。 A.SCR、GTR、GTO、VMOSFE、IGBTB.SCR、GTO、GTR、VMOSFE、IGBTC.GTO、SCR、GTR、IGBT、VMOSFED.SCR、GTO、GTR、IGBT、VMOSFE
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考题 IGBT综合了()和MOSFET的优点,具有良好的特性。 A、GTMB、GTNC、GTOD、GTR
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考题 IGBT有哪些缺点?( )A、开关速度不及电力MOSFETB、开关速度比电力MOSFET快C、电压、电流容量不及GTOD、电压、电流容量比GTO大
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考题 IGBT是一个复合型的器件,它是( ) A.GTR驱动的MOSFETB.MOSFET驱动的GTRC.MOSFET驱动的晶闸管D.MOSFET驱动的GTO
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考题 试说明GTR,MOSFET和IGBT各自优点和缺点。
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考题 可关断晶闸管的英语缩写是（）。A、“IGBT”B、“BJT”C、“GTO”D、“MOSFET”
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考题 已获广泛应用的全控型电力电子器件有电力晶体管GTR、可关断晶体管GTO、电力（）晶体管MOSFET、绝缘删双极型晶体管IGBT和场控晶闸管MCT等
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考题 GTO、GTR、IGBT均属于全控型器件。
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考题 UPS常用的电力电子器件有：（）A、GTR；B、MOSFET；C、IGBT；D、SCR
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考题 IGBT、GTR、GTO和电力MOSFET的驱动电路各有什么特点？
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考题 说明IGBT、GTO、GTR、MOSFET的优缺点。
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考题 MOS场效应管的英语缩写是（）。A、“IGBT”B、“BJT”C、“GTO”D、“MOSFET”
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考题 从最大容量、开关频率和驱动电路三方面比较SCR、Power MOSFET和IGBT的特性。
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考题 在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中，开关速度最快的是（），单管输出功率最大的是（），应用最为广泛的是（）。
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考题 IGBT是一个复合型的器件，它是（）。A、GTR驱动的MOSFETB、MOSFET驱动的GTRC、MOSFET驱动的晶闸管D、MOSFET驱动的GTO
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考题 试解释为什么GTR有二次击穿现象，而Power MOSFET没有。
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考题 试解释Power MOSFET的开关频率高于GTR、IGBT、GTO。
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考题 简要说明全控型电力电子器件GTO、GTR、MOSFET和IGBT各自的优缺点。
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考题 问答题IGBT、GTR、GTO和电力MOSFET的驱动电路各有什么特点？
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考题 填空题在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中，开关速度最快的是（），单管输出功率最大的是（），应用最为广泛的是（）。
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考题 单选题可关断晶闸管的英语缩写是（）。A “IGBT”B “BJT”C “GTO”D “MOSFET”
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考题 填空题电力晶体管GTR；可关断晶闸管（）；功率场效应晶体管MOSFET；绝缘栅双极型晶体管IGBT；IGBT是MOSFET和GTR的复合管。
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考题 问答题说明IGBT、GTO、GTR、MOSFET的优缺点。
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考题 单选题GTR、SCR、GTO、TRIAC、MOSFET、IGBT中，哪些是开关电源中变压器常用的驱动元件（）。A GTO和GTR；B TRIAC和IGBT；C MOSFET和IGBT；D SCR和MOSFET；
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考题 问答题简要说明全控型电力电子器件GTO、GTR、MOSFET和IGBT各自的优缺点。
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考题 问答题试解释为什么GTR有二次击穿现象，而Power MOSFET没有。
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考题 问答题从最大容量、开关频率和驱动电路三方面比较SCR、Power MOSFET和IGBT的特性。
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