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从最大容量、开关频率和驱动电路三方面比较SCR、Power MOSFET和IGBT的特性。
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考题
常见的步进电机功率驱动电路有高／低压驱动电路,斩波限流驱动电路两种形式,高／低压驱动电路与斩波限流驱动电路相比较,下列说法正确的是:()。
A.功耗小B.电流波形更好C.效率更高D.结构和成本不及斩波限流驱动电路
考题
SCR、GTR、GTO、VMOSFET和IGBT几种常用电力电子器件中,按开关频率从低到高依次排列的顺序为()。
A.SCR、GTR、GTO、VMOSFE、IGBTB.SCR、GTO、GTR、VMOSFE、IGBTC.GTO、SCR、GTR、IGBT、VMOSFED.SCR、GTO、GTR、IGBT、VMOSFE
考题
在如下器件：电力二极管（Power Diode）、晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应管（电力MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）中，属于不可控器件的是（），属于半控型器件的是（），属于全控型器件的是（）；属于单极型电力电子器件的有（），属于双极型器件的有（），属于复合型电力电子器件得有（）；在可控的器件中，容量最大的是（），工作频率最高的是（），属于电压驱动的是电力（）属于电流驱动的是（）。
考题
单选题GTR、SCR、GTO、TRIAC、MOSFET、IGBT中，哪些是开关电源中变压器常用的驱动元件（）。A
GTO和GTR；B
TRIAC和IGBT；C
MOSFET和IGBT；D
SCR和MOSFET；
考题
单选题减小开关驱动管的损耗主要途经是（）。A
选用低导通电阻的驱动管；B
提高驱动管的驱动信号的边沿陡度；C
提高开关频率；D
A和B及减小开关频率；
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