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单选题
GTR、SCR、GTO、TRIAC、MOSFET、IGBT中,哪些是开关电源中变压器常用的驱动元件()。
A

GTO和GTR;

B

TRIAC和IGBT;

C

MOSFET和IGBT;

D

SCR和MOSFET;


参考答案

参考解析
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考题 SCR、GTR、GTO、VMOSFET和IGBT几种常用电力电子器件中,按开关频率从低到高依次排列的顺序为()。 A.SCR、GTR、GTO、VMOSFE、IGBTB.SCR、GTO、GTR、VMOSFE、IGBTC.GTO、SCR、GTR、IGBT、VMOSFED.SCR、GTO、GTR、IGBT、VMOSFE

考题 ()是电压控制型电力电子器件。A.P-MOSFET、GTOB.TRIAC、GTRC.P-MOSFET、IGBTD.IGBT、SITH

考题 IGBT是一个复合型的器件,它是( ) A.GTR驱动的MOSFETB.MOSFET驱动的GTRC.MOSFET驱动的晶闸管D.MOSFET驱动的GTO

考题 试说明GTR,MOSFET和IGBT各自优点和缺点。

考题 IGBT是ー个复合型的器件,它是()。 A、GTR驱动的MOSFETB、MOSFET驱动的GTRC、MOSFET驱动的晶闸管D、MOSFET驱动的GT0

考题 可关断晶闸管的英语缩写是()。A、“IGBT”B、“BJT”C、“GTO”D、“MOSFET”

考题 GTO、GTR、IGBT均属于全控型器件。

考题 UPS常用的电力电子器件有:()A、GTR;B、MOSFET;C、IGBT;D、SCR

考题 UPS常用的电力电子器件有:()A、GTRB、MOSFET;C、IGBT;D、SCR

考题 IGBT、GTR、GTO和电力MOSFET的驱动电路各有什么特点?

考题 说明IGBT、GTO、GTR、MOSFET的优缺点。

考题 MOS场效应管的英语缩写是()。A、“IGBT”B、“BJT”C、“GTO”D、“MOSFET”

考题 从最大容量、开关频率和驱动电路三方面比较SCR、Power MOSFET和IGBT的特性。

考题 GTR、P-MOSFET、IGBT使用中,电流定额选择中各要注意什么?

考题 在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中,开关速度最快的是(),单管输出功率最大的是(),应用最为广泛的是()。

考题 IGBT是一个复合型的器件,它是()。A、GTR驱动的MOSFETB、MOSFET驱动的GTRC、MOSFET驱动的晶闸管D、MOSFET驱动的GTO

考题 在如下器件:电力二极管(Power Diode)、晶闸管(SCR)、门极可关断晶闸管(GTO)、电力晶体管(GTR)、电力场效应管(电力MOSFET)、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)中,属于不可控器件的是(),属于半控型器件的是(),属于全控型器件的是();属于单极型电力电子器件的有(),属于双极型器件的有(),属于复合型电力电子器件得有();在可控的器件中,容量最大的是(),工作频率最高的是(),属于电压驱动的是电力()属于电流驱动的是()。

考题 简要说明全控型电力电子器件GTO、GTR、MOSFET和IGBT各自的优缺点。

考题 在SCR(Silicon Controlled Rectifier)、GTO(Gate Turn-Off Thyristor)、GTR(Giant Transistor)、MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)中半控型器件有(),全控型器件有(),电流驱动器件有()。

考题 问答题IGBT、GTR、GTO和电力MOSFET的驱动电路各有什么特点?

考题 填空题在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中,开关速度最快的是(),单管输出功率最大的是(),应用最为广泛的是()。

考题 填空题电力晶体管GTR;可关断晶闸管();功率场效应晶体管MOSFET;绝缘栅双极型晶体管IGBT;IGBT是MOSFET和GTR的复合管。

考题 问答题说明IGBT、GTO、GTR、MOSFET的优缺点。

考题 问答题试解释Power MOSFET的开关频率高于GTR、IGBT、GTO。

考题 问答题GTR、P-MOSFET、IGBT使用中,电流定额选择中各要注意什么?

考题 问答题简要说明全控型电力电子器件GTO、GTR、MOSFET和IGBT各自的优缺点。

考题 填空题在SCR(Silicon Controlled Rectifier)、GTO(Gate Turn-Off Thyristor)、GTR(Giant Transistor)、MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)中半控型器件有(),全控型器件有(),电流驱动器件有()。