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IGBT是ー个复合型的器件,它是()。

A、GTR驱动的MOSFET

B、MOSFET驱动的GTR

C、MOSFET驱动的晶闸管

D、MOSFET驱动的GT0

参考答案

更多 “ IGBT是ー个复合型的器件,它是()。 A、GTR驱动的MOSFETB、MOSFET驱动的GTRC、MOSFET驱动的晶闸管D、MOSFET驱动的GT0 ” 相关考题
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考题 驱动电力MOSFET有多种集成芯片。()
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考题 IGBT是一个复合型的器件,它是( ) A.GTR驱动的MOSFETB.MOSFET驱动的GTRC.MOSFET驱动的晶闸管D.MOSFET驱动的GTO
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考题 与GTR相比MOSFET的优点有：开关速度快、损耗低、驱动功率小和（）等优点。
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考题 功率MOSFET驱动功率小，驱动电路简单，功率增益高，是一种（）控制器件。A、电压B、电流C、功率
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考题 IGBT、GTR、GTO和电力MOSFET的驱动电路各有什么特点？
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考题 说明IGBT、GTO、GTR、MOSFET的优缺点。
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考题 从最大容量、开关频率和驱动电路三方面比较SCR、Power MOSFET和IGBT的特性。
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考题 IGBT是一个复合型的器件，它是（）。A、GTR驱动的MOSFETB、MOSFET驱动的GTRC、MOSFET驱动的晶闸管D、MOSFET驱动的GTO
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考题 试解释Power MOSFET的开关频率高于GTR、IGBT、GTO。
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考题 在如下器件：电力二极管（Power Diode）、晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应管（电力MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）中，属于不可控器件的是（），属于半控型器件的是（），属于全控型器件的是（）；属于单极型电力电子器件的有（），属于双极型器件的有（），属于复合型电力电子器件得有（）；在可控的器件中，容量最大的是（），工作频率最高的是（），属于电压驱动的是电力（）属于电流驱动的是（）。
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考题 简述IGBT和功率MOSFET对驱动电路的要求。
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考题 简要说明全控型电力电子器件GTO、GTR、MOSFET和IGBT各自的优缺点。
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考题 在SCR(Silicon Controlled Rectifier)、GTO(Gate Turn-Off Thyristor)、GTR(Giant Transistor)、MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)中半控型器件有（），全控型器件有（），电流驱动器件有（）。
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考题 电力MOSFET和IGBT属于（）（电压，电流）驱动型器件。属于电流型驱动的器件有（）、（）、（）等。
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考题 问答题简述IGBT和功率MOSFET对驱动电路的要求。
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考题 单选题IGBT是一个复合型的器件，它是（）。A GTR驱动的MOSFETB MOSFET驱动的GTRC MOSFET驱动的晶闸管D MOSFET驱动的GTO
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考题 填空题电力晶体管GTR；可关断晶闸管（）；功率场效应晶体管MOSFET；绝缘栅双极型晶体管IGBT；IGBT是MOSFET和GTR的复合管。
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考题 问答题IGBT、GTR、GTO和电力MOSFET的驱动电路各有什么特点？
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考题 单选题GTR、SCR、GTO、TRIAC、MOSFET、IGBT中，哪些是开关电源中变压器常用的驱动元件（）。A GTO和GTR；B TRIAC和IGBT；C MOSFET和IGBT；D SCR和MOSFET；
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考题 填空题与GTR相比MOSFET的优点有：开关速度快、损耗低、驱动功率小和（）等优点。
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考题 填空题电力MOSFET和IGBT属于（）（电压，电流）驱动型器件。属于电流型驱动的器件有（）、（）、（）等。
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考题 问答题简要说明全控型电力电子器件GTO、GTR、MOSFET和IGBT各自的优缺点。
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考题 问答题从最大容量、开关频率和驱动电路三方面比较SCR、Power MOSFET和IGBT的特性。
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考题 填空题在SCR(Silicon Controlled Rectifier)、GTO(Gate Turn-Off Thyristor)、GTR(Giant Transistor)、MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)中半控型器件有（），全控型器件有（），电流驱动器件有（）。
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