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驱动电力MOSFET有多种集成芯片。()


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考题 下列关于IGBT和电力MOSFET的说法正确的有 。A.IGBT是电压驱动型器件B.IGBT具有擎住效应C.IGBT开关速度高于电力MOSFETD.电力MOSFET存在二次击穿问题