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电力MOSFET和IGBT属于()(电压,电流)驱动型器件。属于电流型驱动的器件有()、()、()等。


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考题 ()是电压控制型电力电子器件。A.P-MOSFET、GTOB.TRIAC、GTRC.P-MOSFET、IGBTD.IGBT、SITH

考题 IGBT有哪些缺点?( )A、开关速度不及电力MOSFETB、开关速度比电力MOSFET快C、电压、电流容量不及GTOD、电压、电流容量比GTO大

考题 IGBT是一个复合型的器件,它是( ) A.GTR驱动的MOSFETB.MOSFET驱动的GTRC.MOSFET驱动的晶闸管D.MOSFET驱动的GTO

考题 IGBT是ー个复合型的器件,它是()。 A、GTR驱动的MOSFETB、MOSFET驱动的GTRC、MOSFET驱动的晶闸管D、MOSFET驱动的GT0

考题 MOSFET晶体管属于()器件。A、电流型控制B、电压型控制C、功率型控制D、P0004

考题 不属于IGBT管特点的是()A、IGBT管为混合器件B、驱动功率容量小C、电流等级为10A—400AD、IGBT管是一种电流型器件

考题 IGBT属于一种电压控制型器件,只要对其输入端提供一种正向驱动电压就可使其导通,反之,断去其驱动电压便可使其关断。

考题 UPS常用的电力电子器件有:()A、GTR;B、MOSFET;C、IGBT;D、SCR

考题 UPS常用的电力电子器件有:()A、GTRB、MOSFET;C、IGBT;D、SCR

考题 IGBT、GTR、GTO和电力MOSFET的驱动电路各有什么特点?

考题 下列属于单极型电压驱动型器件的是()。A、GTRB、GTOC、MOSFETD、IGBT

考题 IGBT是一个复合型的器件,它是()。A、GTR驱动的MOSFETB、MOSFET驱动的GTRC、MOSFET驱动的晶闸管D、MOSFET驱动的GTO

考题 电力电子器件IGBT为()器件。A、电压控制型B、电流控制型C、单极型D、双极型

考题 IGBT属于电压驱动型器件。

考题 双极型功率晶体管和MOSFET的复合器件是IGBT。

考题 电力电子器件P-MOSFET为()器件。A、电压控制型B、电流控制型C、单极型D、双极型

考题 在如下器件:电力二极管(Power Diode)、晶闸管(SCR)、门极可关断晶闸管(GTO)、电力晶体管(GTR)、电力场效应管(电力MOSFET)、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)中,属于不可控器件的是(),属于半控型器件的是(),属于全控型器件的是();属于单极型电力电子器件的有(),属于双极型器件的有(),属于复合型电力电子器件得有();在可控的器件中,容量最大的是(),工作频率最高的是(),属于电压驱动的是电力()属于电流驱动的是()。

考题 简要说明全控型电力电子器件GTO、GTR、MOSFET和IGBT各自的优缺点。

考题 在SCR(Silicon Controlled Rectifier)、GTO(Gate Turn-Off Thyristor)、GTR(Giant Transistor)、MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)中半控型器件有(),全控型器件有(),电流驱动器件有()。

考题 IGBT是电压型驱动的全控型开关器件。

考题 判断题IGBT属于电压驱动型器件。A 对B 错

考题 多选题电力电子器件P-MOSFET为()器件。A电压控制型B电流控制型C单极型D双极型

考题 问答题IGBT、GTR、GTO和电力MOSFET的驱动电路各有什么特点?

考题 单选题电力电子器件IGBT为()器件。A 电压控制型B 电流控制型C 单极型D 双极型

考题 填空题电力MOSFET和IGBT属于()(电压,电流)驱动型器件。属于电流型驱动的器件有()、()、()等。

考题 问答题简要说明全控型电力电子器件GTO、GTR、MOSFET和IGBT各自的优缺点。

考题 填空题在SCR(Silicon Controlled Rectifier)、GTO(Gate Turn-Off Thyristor)、GTR(Giant Transistor)、MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)中半控型器件有(),全控型器件有(),电流驱动器件有()。