IGBT有哪些缺点?( )A、开关速度不及电力MOSFETB、开关速度比电力MOSFET快C、电压、电流容量不及GTOD、电压、电流容量比GTO大

题目内容（请给出正确答案）

IGBT有哪些缺点?( )

A、开关速度不及电力MOSFET

B、开关速度比电力MOSFET快

C、电压、电流容量不及GTO

D、电压、电流容量比GTO大

参考答案

考题 5、关于IGBT，下面（）不正确。A．IGBT是复合型器件，输入端是MOSFET，输出端是双极晶体管；B．IGBT存在电导调制效应；C．IGBT的开关速度较功率MOSFET快；D．IGBT较功率MOSFET更有利于制作大功率器件

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考题下列关于IGBT和电力MOSFET的说法正确的有A．IGBT开关速度高于电力MOSFETB．IGBT是电压驱动型器件C．电力MOSFET存在二次击穿问题D．IGBT具有擎住效应

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考题属于电流驱动的器件是（）A．电力MOSFETB．SCRC．GTRD．IGBT

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考题 16、关于IGBT，下面（）正确。A．IGBT是复合型器件，输入端是MOSFET，输出端是双极晶体管；B．IGBT存在电导调制效应；C．IGBT的开关速度较功率MOSFET快；D．IGBT较功率MOSFET更有利于制作大功率器件

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考题比较电力MOSFET与IGBT内部结构，说明电力MOSFET在开关特性上的优点。

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考题 30、下列关于IGBT和电力MOSFET的说法正确的有A．IGBT开关速度高于电力MOSFETB．IGBT是电压驱动型器件C．电力MOSFET存在二次击穿问题D．IGBT具有擎住效应

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考题下列关于IGBT和电力MOSFET的说法正确的有。A．IGBT是电压驱动型器件B．IGBT具有擎住效应C．IGBT开关速度高于电力MOSFETD．电力MOSFET存在二次击穿问题

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考题 2、比较电力MOSFET与IGBT内部结构，说明电力MOSFET在开关特性上的优点。

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考题 IGBT的开关速度是电力电子器件中最高的。

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