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5、关于IGBT，下面（）不正确。

A．IGBT是复合型器件，输入端是MOSFET，输出端是双极晶体管；

B．IGBT存在电导调制效应；

C．IGBT的开关速度较功率MOSFET快；

D．IGBT较功率MOSFET更有利于制作大功率器件

参考答案和解析
BC
更多 “5、关于IGBT，下面（）不正确。A．IGBT是复合型器件，输入端是MOSFET，输出端是双极晶体管；B．IGBT存在电导调制效应；C．IGBT的开关速度较功率MOSFET快；D．IGBT较功率MOSFET更有利于制作大功率器件” 相关考题
考题 SCR、GTR、GTO、VMOSFET和IGBT几种常用电力电子器件中,按开关频率从低到高依次排列的顺序为()。 A.SCR、GTR、GTO、VMOSFE、IGBTB.SCR、GTO、GTR、VMOSFE、IGBTC.GTO、SCR、GTR、IGBT、VMOSFED.SCR、GTO、GTR、IGBT、VMOSFE
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考题 IGBT是电流控制型器件。()
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考题 IGBT的反向耐压较低,目前,IGBT模块总是将二极管同IGBT()封装在一起。A、串联B、并联C、反并联D、以上选项都不正确
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考题 简述IGBT的特点。
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考题 关于HTTP协议．下面描述不正确的是（ ）
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考题 下面关于四分位数间距描述不正确的是（ ）
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考题 变流器IGBT故障的触发条件是主控发出变流启动信号，变流器IGBT OK信号丢失持续（）ms，报此故障.
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考题 双馈风机变频器并网前必须完成的项目不包括（）。A、直流预充电B、转矩加载C、网侧IGBT调制D、转子侧IGBT调制
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考题 双馈风机变频器并网前必须完成的项目包括（）A、直流预充电B、转矩加载C、网侧IGBT调制D、转子侧IGBT调制
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考题 GBT与场管的区别，正确的有（）A、场管比IGBT频率高B、IGBT比场管导通压降低C、单支IGBT的 功率容量比场管容量大D、IGBT的开关损耗比场管大E、IGBT 适合低于20KHZ的逆变电路，场管适合200KHZ以下的逆变电路
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考题 （）简称IGBT。
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考题 IGBT与场管的区别，正确的有（）A、场管比IGBT频率高B、IGBT比场管导通压降低C、单支IGBT的 功率容量比场管容量大D、IGBT的开关损耗比场管大E、IGBT 适合低于20KHZ的逆变电路，场管适合200KHZ以下的逆变电路
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考题 不属于IGBT管特点的是（）A、IGBT管为混合器件B、驱动功率容量小C、电流等级为10A—400AD、IGBT管是一种电流型器件
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考题 为防止IGBT的误导通，通常在正向驱动脉冲以外的时刻对IGBT的栅极施加关断负偏压，例如电车直流机组用的IGBT所选择的负偏压数值为-24V。
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考题 CRH5型动车组不具有IGBT的（）A、四象限整流器B、牵引逆变器C、制动斩波器D、TV传感器
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考题 下面说法中不正确的是（）A、工频机相对高频机抗过流能力更强B、在线式UPS正常工作状况下UPS逆变始终处于工作状态C、停电后，UPS能够输出稳定的直流电D、IGBT、SCR是目前使用最广泛的功率器件
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考题 IGBT的主体部分与GTR类似，控制部分与场效应管类似，下面属于IGBT具有的优点的有（）A、电磁噪音很小B、电流波形大为改善，电机的转矩增大C、IGBT管二次击穿现象小D、最大管子容量比GTO管大的多
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考题 IGBT是指（）。
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考题 IGBT
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考题 说明IGBT、GTO、GTR、MOSFET的优缺点。
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考题 IGBT有哪些突出优点？
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考题 请在空格内标出下面元件的简称：电力晶体管（）；可关断晶闸管（）；功率场效应晶体管（）；绝缘栅双极型晶体管（）；IGBT是（）和（）的复合管。
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考题 请在正确的空格内标出下面元件的简称：电力晶体管（）；可关断晶闸管（）；功率场效应晶体管（）；绝缘栅双极型晶体管（）；IGBT是（）和（）的复合管。
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考题 开关频率在（）时，应用功率大于5KW的IGBT较为合适。A、1—1.5KHzB、1.5--2KHzC、大于2KHzD、以上都对
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考题 判断题为防止IGBT的误导通，通常在正向驱动脉冲以外的时刻对IGBT的栅极施加关断负偏压，如电车直流机组用的IGBT所选择的负偏压数值为-24V。A 对B 错
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考题 单选题GTR、SCR、GTO、TRIAC、MOSFET、IGBT中，哪些是开关电源中变压器常用的驱动元件（）。A GTO和GTR；B TRIAC和IGBT；C MOSFET和IGBT；D SCR和MOSFET；
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考题 填空题变流器IGBT故障的触发条件是主控发出变流启动信号，变流器IGBT OK信号丢失持续（）ms，报此故障.
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考题 单选题关于UE等级下面说法不正确的是（）A LTE共有5种UE等级B CAT3终端上行支持16QAMC CAT4终端上行支持64QAMD CAT5终端上行支持64QAM
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