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IGBT的反向耐压较低,目前,IGBT模块总是将二极管同IGBT()封装在一起。
A、串联
B、并联
C、反并联
D、以上选项都不正确
参考答案
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考题
7、IGBT的通态模型为（）A．pin二极管和MOSFET的并联；B．pin二极管和MOSFET的串联C．MOSFET和pnp晶体管的串联；D．MOSFET的漏极作为pnp晶体管的基极。
考题
下列关于IGBT的工作原理，说法正确的是（）A．IGBT是一种场控器件，其开通和关断是由栅极和发射电压UGE决定的B．IGBT的UGE大于其开启电压UGE(th)时，MOS管中形成导电沟，为输出GTR管提供基极电流,进而使IGBT导通C．由于GTR具有电导调制效应，导通电阻小，使得高耐压的IGBT具有很小通态压降D．当IGBT的栅极不加信号或施加反压时，MOS管导电沟道消失，晶体管被切断，使得IGBT关断
考题
10、MOSFET和IGBT并联运行，表述正确的是下面哪一个？A．型号相同的MOSFET可以并联运行，而IGBT不可以并联运行。B．型号相同的MOSFET和IGBT都不可以并联运行。C．型号相同的MOSFET不可以并联运行，而IGBT可以并联运行。D．型号相同的MOSFET可以并联运行；IGBT在通过电流较大时通态压降具有正温度系数，也可以并联使用。
考题
下列关于IGBT的工作原理，说法正确的是（）A．IGBT是一种场控器件，其开通和关断是由栅极和发射电压UGE决定的。B．IGBT的UGE大于其开启电压UGE(th)时，MOS管中形成导电沟，为输出GTR管提供基极电流,进而使IGBT导通。C．由于GTR具有电导调制效应，导通电阻小，使得高耐压的IGBT具有很小通态压降。D．当IGBT的栅极不加信号或施加反压时，MOS管导电沟道消失，晶体管被切断，使得IGBT关断。
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