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7、IGBT的通态模型为（）

A．pin二极管和MOSFET的并联；

B．pin二极管和MOSFET的串联

C．MOSFET和pnp晶体管的串联；

D．MOSFET的漏极作为pnp晶体管的基极。

参考答案和解析
A
更多 “7、IGBT的通态模型为（）A．pin二极管和MOSFET的并联；B．pin二极管和MOSFET的串联C．MOSFET和pnp晶体管的串联；D．MOSFET的漏极作为pnp晶体管的基极。” 相关考题
考题 IGBT斩波调速是通过改变IGBT导通和关断时间的比值调节电机平均电压,调速过程中能量损耗极小。() 此题为判断题(对，错)。
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考题 IGBT导通时,由P＋注入区向N基区发射少数载流子,从而对漂移区()进行调制,使IGBT具有很强的通流能力。 A、电导率B、降压值C、耐压值D、电热率
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考题 以下关于设计态和运行态中哪些说法是正确的?() A.业务设计是基于元数据和模型驱动的B.设计态中设计的业务模型、策略模型等发放到运行态，进行测试验证C.设计态与运行态的环境应尽可能一致D.业务设计阶段不涉及运维
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考题 以下器件属于通过门极信号既能控制其导通又能控制其关断的器件的是：()A、BJTB、GTOC、SCRD、IGBT
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考题 IGBT的通态压降在1／2或1／3额定电流以下的区段具有______的温度系数,在1／2或1／3额定电流以上的区段则具有______的温度系数,因而IGBT在______使用时也具有电流的自动均衡能力。
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考题 以交流电的周期为单位控制晶闸管的通断,改变通态周期数和断态周期数的比值,从而调节______,这种电路称为______电路。
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考题 晶闸管刚刚由断态转入通态并去掉触发门极信号后,仍能保持其导通状态的最小阳极电流称为()。A、通态平均电流IT(AV)B、维持电流IHC、擎住电流ILD、通态浪涌电流ITSM
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考题 下列不是IGBT并联运行的特点的是（ ）A.在1/2或1/3额定电流以下的区段，通态降压具有负的温度系数 B.在1/2或1/3额定电流以上的区段，通态降压具有正的温度系数 C.并联使用时具有电流的自动均衡能力 D.串联使用时具有电流的自动均衡能力
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考题 GBT与场管的区别，正确的有（）A、场管比IGBT频率高B、IGBT比场管导通压降低C、单支IGBT的 功率容量比场管容量大D、IGBT的开关损耗比场管大E、IGBT 适合低于20KHZ的逆变电路，场管适合200KHZ以下的逆变电路
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考题 晶闸管刚从断态转入通态并移除触发信号后，能维持导通所需的最小电流是（）。A、通态平均电流B、维持电流C、擎住电流D、浪涌电流
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考题 通态平均电流
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考题 二态模型
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考题 由通态到断态，能够维持晶闸管元件导通的最小阳极电流叫做擎住电流。
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考题 IGBT与场管的区别，正确的有（）A、场管比IGBT频率高B、IGBT比场管导通压降低C、单支IGBT的 功率容量比场管容量大D、IGBT的开关损耗比场管大E、IGBT 适合低于20KHZ的逆变电路，场管适合200KHZ以下的逆变电路
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考题 晶闸管的功耗是通态平均电压与通态平均电流的乘积。所以说可控硅的通态平均电压越大越好。
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考题 可用于描述PS的聚集态结构模型是（）。A、缨状微束模型B、无规线团模型C、插线板模型
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考题 不属于IGBT管特点的是（）A、IGBT管为混合器件B、驱动功率容量小C、电流等级为10A—400AD、IGBT管是一种电流型器件
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考题 为防止IGBT的误导通，通常在正向驱动脉冲以外的时刻对IGBT的栅极施加关断负偏压，例如电车直流机组用的IGBT所选择的负偏压数值为-24V。
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考题 MCT是一种新型电力电子器件，具有以下特点（）。A、通态压降小，约为1.1V，仅是IGBT通态压降的三分之一B、开关速度快C、工作温度高D、即使关断失败也不会损害器件
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考题 在D5000系统中，模型离线维护需要（）环境的支持，以便于对修改的模型进行验证。A、实时态B、研究态C、测试态D、培训态
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考题 电力电子器件的通态损耗与器件的通态（）有关。A、电压B、电流C、电阻D、电感
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考题 晶闸管元件由断态到通态，脉冲切除后，能够维持元件导通的最小阳极电流叫做（）。
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考题 普通电力二极管正向通态压降为（）V。A、1B、3C、5D、7
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考题 晶闸管元件由通态到断态，能够维持元件导通的最小阳极电流叫做（）。
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考题 判断题为防止IGBT的误导通，通常在正向驱动脉冲以外的时刻对IGBT的栅极施加关断负偏压，如电车直流机组用的IGBT所选择的负偏压数值为-24V。A 对B 错
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考题 单选题普通电力二极管正向通态压降为（）V。A 1B 3C 5D 7
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考题 单选题电力电子器件的通态损耗与器件的通态（）有关。A 电压B 电流C 电阻D 电感
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